2sa1860 ds jp

2SA1860
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4886とコンプリメンタリ)
−100max
μA
V
IEBO
VEB=−5V
−100max
μA
−5
V
V(BR)CEO
IC=−25mA
−150min
V
−14
A
hFE
VEBO
−3
IB
A
VCE(sat)
W
fT
℃
COB
80(Tc=25℃)
PC
150
Tj
−55∼+150
Tstg
℃
15.6±0.2
50min※
VCE=−4V, IC=−5A
− 2.0max
IC=−5A, IB=−500mA
50typ
MHz
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
pF
1.05 +0.2
-0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–60
12
–5
–10
5
–500
500
0.25typ
0.85typ
0.2typ
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
VCC
(V)
1.5
C
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
–14
–3
mA
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
200
–1
–5
ース
温度
)
度)
度)
ス温
ス温
(ケ
0˚C
−3
ケー
3
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
25 ˚C
100
50
–2
θ j-a – t特 性
200
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h F E
Typ
–1
(V C E = – 4V)
125 ˚C
–0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
–0.1
0
–1.0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
20
–0.02
12
–5A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
100
C(
I B =–20mA
0
–5
I C =–10A
ケー
–1
5˚
–50mA
–5
–10
˚C(
–100 mA
–2
25
コレクタ電流 I C (A)
–1 50 m A
–10
コレクタ電流 I C (A)
–200
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–7
00
mA
A
m mA
mA
mA
00 500 400
00
6
–
–
–3
–
0.8
2.15
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–14
1.75
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
I C – V CE 特性(代 表 例 )
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCE=−12V, IE=2A
5.5±0.2
3.0
−150
VCB=−150V
0.8±0.2
VCEO
ICBO
5.5
V
単位
3.3
−150
規格値
9.5±0.2
VCBO
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
23.0±0.3
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
1.6
LAPT
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–10 –14
–0.1
–0.5
–1
–5
–10 –14
1
0.5
0.1
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代表 例 )
100
1000 2000
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
80
–40
10
–10
D
60
s
40
付
放熱板なし
自然空冷
板
–0.5
20
熱
–1
放
コレクタ電流 I C (A)
0m
–5
大
40
C
s
s
限
Typ
1m
m
無
遮断周波数 f T (MH Z )
60
10
最大許容損失 P C (W)
80
20
–0.1
0
0.02
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
34
10
–0.05
–2
–5
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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