2sc2922 ds jp

2SC2922
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SA1216とコンプリメンタリ)
ICBO
VCB=180V
100max
μA
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
IC=25mA
180min
V
IC
17
A
hFE
VCE=4V, IC=8V
30min※
IB
5
A
VCE(sat)
IC=8A, IB=0.8A
2.0max
V
MHz
pF
PC
200(Tc=25℃)
W
fT
VCE=12V, IE=−2A
50typ
Tj
150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
250typ
−55∼+150
℃
※ランク O(30∼60), Y(50∼100), P(70∼140), G(90∼180)
IC
(A)
VB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
–5
1
–1
0.2typ
1.3typ
0.45typ
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
5
50mA
1
2
3
0
4
0
0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.6
0.8
Typ
50
125 ˚C
1
5
10
25 ˚C
– 30 ˚C
50
10
0.02
17
コレクタ電流 I C (A)
0.1
0.5
)
度
1
1
5
10 17
1
0.5
0.1
1
10
100
P c – Ta定 格
200
50
80
1000
時間 t(ms)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
2.4
2
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代表 例 )
2
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
100
100
0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
200
直流電流増幅率 h FE
200
0.1
0
1.0
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
直流電流増幅率 h FE
0.4
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性 (代表 例 )
10
0.02
5
5A
I B =20mA
0
温
I C =10A
1
10
ス
100 mA
2
ー
A
ケ
200m
10
C(
mA
5˚
コレクタ電流 I C (A)
15
A
400m
300
0
(V CE =4V)
17
3
12
50
E
0mA
コレクタ電流 I C (A)
15
A
3.0 +0.3
-0.1
5.45±0.1
C
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
m
600
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約18.4g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
1.5
7
A
2
3
B
RL
(Ω)
m
00
ロ
5.45±0.1
VCC
(V)
1A
イ
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
17
9
度)
Tstg
2-ø3.2±0.1
ス温
VEBO
2.1
ケー
180
24.4±0.2
C(
VCEO
6.0±0.2
36.4±0.3
0˚
V
−3
180
˚C
VCBO
記 号
7
単位
21.4±0.3
規格値
記 号
外形図 MT-200
(Ta=25℃)
試 験 条 件
単 位
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
25
LAPT
10
m
160
s
Typ
DC
板
付
最大許容損失 P C (W)
熱
1
120
放
5
大
40
限
コレクタ電流 I C (A)
10
無
遮断周波数 f T (MH Z )
60
80
20
0
–0.02
0.2
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
62
40
放熱板なし
自然空冷
0.5
–5
–10
2
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
300
5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
2000
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