2sc3856 ds jp

2SC3856
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1492とコンプリメンタリ)
180
V
IEBO
6
V
V(BR)CEO
15
A
hFE
μA
VEB＝6V
100max
μA
IC＝50mA
180min
V
VCE＝4V, IC＝3A
50min※
IC＝5A, IB＝0.5A
2.0max
V
20typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
300typ
pF
VCE(sat)
130(Tc＝25℃)
W
fT
Tj
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.45±0.1
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
10
–5
1
–1
0.5typ
1.8typ
0.6typ
3
A
A
I B =20mA
0
0
1
2
3
0
4
0
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.0
1.5
0
2.0
1
2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
300
ース温
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性 （代表 例 ）
度）
）
I C =10A
5A
）
温度
5
˚C （ ケ
1
−30
50mA
10
ース
100 mA
2
（ケ
10
5
(V CE =4V)
5˚C
300m
20 0m A
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
12
5
m
00
1.4
E
15
コレクタ電流 I C (A)
A
C
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ）
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
1A
70
0m
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
VCC
(V)
15
2
3
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
2.0±0.1
ø3.2±0.1
温度
Tstg
イ
4.8±0.2
ロ
VCE＝12V, IE＝−0.5A
A
PC
15.6±0.4
9.6
ース
4
IB
100max
C（ケ
IC
単位
VCB＝200V
25˚
VEBO
試 験 条 件
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
200
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途：オーディオ、一般用
(V C E =4V)
3
200
100
Typ
100
50
0.1
0.5
1
5
25 ˚C
50
– 30 ˚C
20
0.02
10 15
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
1
10
10
Typ
10
130
s
s
s
100
C
5
板
付
0.1
熱
1
0.5
放
–10
P c – Ta定 格
大
–1
0m
1000 2000
限
10
3m
m
100
無
コレクタ電流 I C (A )
D
20
エミッタ電流 I E (A)
10
時間 t(ms)
40
30
遮断周波数 f T (MH Z )
0.1
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
(V CE =12V)
–0.1
10 15
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 （代表 例 ）
0
–0.02
5
1
最大許容損失 P C (W)
20
0.02
過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
50
放熱板なし
自然空冷
3
10
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
79