2sc4467 ds jp

2SC4467
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1694とコンプリメンタリ)
120
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC
8
A
hFE
3
IB
試 験 条 件
単位
VCB＝160V
10max
μA
VEB＝6V
10max
μA
IC＝50mA
120min
50min※
IC＝3A, IB＝0.3A
1.5max
V
20typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
200typ
pF
VCE(sat)
80(Tc＝25℃)
W
fT
Tj
150
℃
COB
−55∼＋150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
10
4
10
–5
0.4
–0.4
0.13typ
3.50typ
0.32typ
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
A
A
0m
20
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
2
3
0
4
0
0.1 0.2 0.3 0.4
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
(V C E =4V)
200
50
5
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
8
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
10
最大許容損失 P C (W)
コレクタ電流 I C (A)
度）
ース温
˚C （ ケ
−30
40
付
10
板
0.1
5
熱
エミッタ電流 I E (A)
–8
放
0.5
大
1
20
放熱板なし
自然空冷
–1
）
60
DC
10
度）
s
限
20
108
m
100ms
5
Typ
1000
無
遮断周波数 f T (MH Z )
30
100
P c – Ta定 格
20
–0.1
10
80
10
0
–0.02
1
時間 t(ms)
(V CE =12V)
40
ス温
0.5
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性（代 表 例 ）
1.5
1
0.3
20
0.02
8
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
Typ
1.0
3
200
100
0.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
0.5
温度
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性（代 表 例 ）
0.1
ース
12
I C =8A
4A
2A
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
ケー
2
I B =10mA
1
（ケ
1
C（
2
4
25˚
20mA
6
2
5˚C
4
20
0.02
(V CE =4V)
8
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
50m A
0
1.4
E
75 m A
6
0
5.45±0.1
C
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
350m
1
m
100
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
3
A
2
3
B
VCC
(V)
m
50
ø3.2±0.1
5.45±0.1
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
2.0±0.1
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
8
イ
4.8±0.2
ロ
VCE＝12V, IE＝−0.5A
A
PC
Tstg
V
VCE＝4V, IC＝3A
15.6±0.4
9.6
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
160
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta＝25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途： オーディオ、一般用
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150