2sc4468 ds jp

2SC4468
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1695とコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB=6V
10max
μA
6
V
V(BR)CEO
IC=50mA
140min
10
A
hFE
50min※
IC=5A, IB=0.5A
0.5max
V
20typ
MHz
VCB=10V, f=1MHz
250typ
pF
VCE(sat)
100(Tc=25℃)
W
fT
Tj
150
℃
COB
−55∼+150
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
5.45±0.1
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
60
12
5
10
–5
0.5
–0.5
0.24typ
0.40typ
8
20mA
2
1
2
I C =10A
I B =10mA
5A
0
0
1
2
3
0
4
0
0.5
1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1.5
(V C E =4V)
3
Typ
50
0.1
0.5
1
5
10
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
300
100
125 ˚C
25 ˚C
100
– 30 ˚C
50
20
0.02
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
10
1
0.5
0.1
1
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
200
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
20
0.02
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表例 )
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
100
30
40
3m
s
10
放
熱
板
50
付
コレクタ電流 I C (A)
大
遮断周波数 f T (MH Z )
限
0.5
無
s
ms
1
10
0
–0.02
0m
20
DC
5
10
Typ
10
30
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
0
2.0
度)
4
ース温
4
6
温度
)
温度
)
50 mA
2
ース
75 m A
6
(ケ
A
5˚C
100m
(V CE =4V)
10
3
mA
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
12
150
8
コレクタ電流 I C (A)
4.32typ
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
コレクタ電流 I C (A)
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
A
0m
40
30
tf
(μs)
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代表 例 )
0
20
tstg
(μs)
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
ton
(μs)
A
0m
2
3
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
10
ø3.2±0.1
˚C ( ケ
Tstg
2.0±0.1
ロ
VCE=12V, IE=−0.5A
A
PC
イ
4.8±0.2
−30
4
IB
V
VCE=4V, IC=3A
ース
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
μA
5.0±0.2
10max
C(ケ
140
VCB=200V
25˚
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
200
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途: オーディオ、一般用
放熱板なし
自然空冷
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
–10
0.1
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
109
Similar pages