2SC4495 High hFE LOW VCE (sat) シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ 50 V VEBO 6 V IC 3 A hFE 単位 VCB＝80V 10max μA IEBO VEB＝6V 10max μA V(BR)CEO IC＝25mA 50min V VCE＝4V, IC＝0.5A 500min IB 1 A VCE(sat) PC 25(Tc＝25℃) W fr 150 ℃ COB −55∼＋150 ℃ V 40typ MHz VCB＝10V,f＝1MHz 30typ pF 1.35±0.15 1.35±0.15 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） 2.54 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 20 20 1 10 –5 15 –30 0.45typ 1.60typx 0.85typ I C – V CE 特性（代 表 例 ） V CE (sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） (V C E =4V) A 1 2A I B =0.5mA 0.5 0 0 1 2 3 4 5 0 6 1 10 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 100 0 1000 (V C E =4V) 500 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 25 ˚C 1000 1000 –55 ˚C 500 100 50 0.1 0.5 1 20 0.01 3 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 度） 5 1 3 1 10 100 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性 （代表 例 ） 1.5 7 5000 Typ 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 3000 0.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 100 0.01 0 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表 例 ） 直流電流増幅率 h F E 12 I C =1A ース温 3A 温度 ） 度） 0.5 ˚C （ ケ 1mA ス温 1 1.5 ケー 2mA 2 −55 3mA 1 ース 5m A （ケ 2 2.5 5˚C 12m コレクタ電流 I C (A) 18 8mA コレクタ電流 I C (A) I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 3 mA コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V) 3 A 製品質量 約2.0g イ．品名 ロ．ロット番号 B C E 1.5 0m 2.4±0.2 2.2±0.2 VCC (V) 3 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 ˚C（ Tstg 0.5max 4.2±0.2 2.8 c0.5 ø3.3±0.2 イ ロ 25 Tj IC＝1A, IB＝20mA VCE＝12V, IE＝−0.1A 10.1±0.2 4.0±0.2 VCEO 試 験 条 件 記 号 0.8±0.2 ICBO ±0.2 V 3.9 80 16.9±0.3 単 位 VCBO 記 号 外形図 FM20(TO220F) (Ta＝25℃) 規格値 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 13.0min ■絶対最大定格 用途： オーディオ温度補償用、一般用 AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 30 10 1m 5 コレクタ電流 I C (A) m s s 20 DC 0m 40 10 遮断周波数 f T (MH Z ) 10 Typ 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm s 最大許容損失 P C (W) 60 1 0.5 20 無 限 150x150x2 1 00x 1 0 10 放熱板なし 自然空冷 0x 大 放 熱 板 付 2 50x50x2 0.1 放熱板なし 2 0 –0.005 –0.01 0.05 –0.1 エミッタ電流 I E (A) 110 –1 3 5 10 50 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 100 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150