2sc4495 ds jp

2SC4495
High hFE
LOW VCE (sat)
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ
50
V
VEBO
6
V
IC
3
A
hFE
単位
VCB=80V
10max
μA
IEBO
VEB=6V
10max
μA
V(BR)CEO
IC=25mA
50min
V
VCE=4V, IC=0.5A
500min
IB
1
A
VCE(sat)
PC
25(Tc=25℃)
W
fr
150
℃
COB
−55∼+150
℃
V
40typ
MHz
VCB=10V,f=1MHz
30typ
pF
1.35±0.15
1.35±0.15
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
2.54
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
20
20
1
10
–5
15
–30
0.45typ
1.60typx
0.85typ
I C – V CE 特性(代 表 例 )
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
(V C E =4V)
A
1
2A
I B =0.5mA
0.5
0
0
1
2
3
4
5
0
6
1
10
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
100
0
1000
(V C E =4V)
500
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
25 ˚C
1000
1000
–55 ˚C
500
100
50
0.1
0.5
1
20
0.01
3
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
度)
5
1
3
1
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性 (代表 例 )
1.5
7
5000
Typ
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
3000
0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
100
0.01
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表 例 )
直流電流増幅率 h F E
12
I C =1A
ース温
3A
温度
)
度)
0.5
˚C ( ケ
1mA
ス温
1
1.5
ケー
2mA
2
−55
3mA
1
ース
5m A
(ケ
2
2.5
5˚C
12m
コレクタ電流 I C (A)
18
8mA
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
3
A
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
1.5
0m
2.4±0.2
2.2±0.2
VCC
(V)
3
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
˚C(
Tstg
0.5max
4.2±0.2
2.8 c0.5
ø3.3±0.2
イ
ロ
25
Tj
IC=1A, IB=20mA
VCE=12V, IE=−0.1A
10.1±0.2
4.0±0.2
VCEO
試 験 条 件
記 号
0.8±0.2
ICBO
±0.2
V
3.9
80
16.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 FM20(TO220F)
(Ta=25℃)
規格値
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
13.0min
■絶対最大定格
用途: オーディオ温度補償用、一般用
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
30
10
1m
5
コレクタ電流 I C (A)
m
s
s
20
DC
0m
40
10
遮断周波数 f T (MH Z )
10
Typ
自然空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
s
最大許容損失 P C (W)
60
1
0.5
20
無
限
150x150x2
1 00x 1 0
10
放熱板なし
自然空冷
0x
大
放
熱
板
付
2
50x50x2
0.1
放熱板なし
2
0
–0.005 –0.01
0.05
–0.1
エミッタ電流 I E (A)
110
–1
3
5
10
50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
100
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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