2sc4706 ds jp

2SC4706
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧スイッチングトランジスタ)
600
V
IEBO
7
V
V(BR)CEO
A
hFE
VEBO
14(パルス28)
IC
試 験 条 件
単位
VCB=800V
100max
μA
VEB=7V
100max
μA
IC=10mA
600min
V
VCE=4V, IC=7A
10∼25
A
VCE(sat)
IC=7A, IB=1.4A
0.5max
130(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=7A, IB=1.4A
1.2max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−1.5A
6typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
7
Tstg
1.05 +0.2
-0.1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
250
35.7
7
10
–5
1.05
–3.5
1max
5max
0.7max
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
14
2
1.2 A
I C /I B =5一定
12
2
2
度)
ス温
˚C (
ケース
温度)
)
温度
ース
4
−55
I B =100mA
6
ケー
200mA
4
V B E (sat)
8
C(
6
1
(ケ
400m A
25˚
8
10
5˚C
600mA
12
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ飽和電圧 V C E (sat) (V)
ベース飽和電圧 V B E (sat) (V)
12
800mA
コレクタ電流 I C (A)
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat),V BE (sat) – I C 特性(代表例)
14
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
RL
(Ω)
A
2
3
5.45±0.1
VCC
(V)
6
1.
ø3.2±0.1
pF
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
2.0±0.1
V
160typ
VCB=10V, f=1MHz
イ
4.8±0.2
ロ
PC
IB
15.6±0.4
9.6
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
900
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途: スイッチングレギュレータ、一般用
V C E (sat)
0
1
2
3
0
0.02
4
0.05 0.1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
h FE – I C 温度特性( 代 表 例 )
スィッチング時間 t o n• t s t g• t f ( µs )
50
直流電流増幅率 h F E
125˚C
25 ˚C
–55 ˚C
10
0.05
0.1
0.5
1
5
10 14
V CC 250V
I C :I B1 :– I B 2 =10:1.5:5
0µ
0.8
1.0
1.2
t s tg
tf
0.1
0.2
0.5
1
5
10
14
コレクタ電流 I C (A)
逆バイアスASO曲線
P c – Ta定 格
130
s
100
500
1000
コレクタ電流 I C (A)
付
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
板
0.1
50
熱
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1000
放
500
0.5
放熱板なし
自然空冷
L=3mH
I B 2 = – 1.0A
Duty 1%以下
大
放熱板なし
自然空冷
1
限
1
5
無
コレクタ電流 I C (A )
0.6
θ j-a – t特 性
10
100
0.4
t on
10
50
0.2
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
50
10
0
1
0.5
50
118
0
10
5
ASO 曲線(単発 パ ル ス )
0.1
10
5
8
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
t on •t stg • t f – I C 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
5
0.02
0.5
コレクタ電流 I C (A)
最大許容損失 P C (W)
0
50
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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