2sc5100 ds jp

2SC5100
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1908とコンプリメンタリ)
120
V
IEBO
VEBO
6
V
V(BR)CEO
IC
8
A
hFE
3
IB
A
VCE(sat)
75(Tc=25℃)
W
fT
150
℃
COB
−55∼+150
℃
Tj
10max
μA
VEB=6V
10max
μA
IC=50mA
120min
15.6±0.2
V
VCE=4V, IC=3A
50min※
IC=3A, IB=0.3A
0.5max
V
VCE=12V, IE=−0.5A
20typ
MHz
VCB=10V, f=1MHz
200typ
pF
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
10
4
10
–5
0.4
–0.4
0.13typ
3.50typ
0.32typ
A
A
0m
20
m
100
C
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
8
2
3
0
4
0
0.2
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
0.4
0.8
0
1.0
0
度)
ース温
˚C ( ケ
−30
1.0
1.5
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
(V C E =4V)
200
0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代 表 例 )
度)
)
12
I C =8A
4A
2A
0.6
ス温
温度
2
I B =10mA
1
ース
1
ケー
2
4
(ケ
20mA
2
5˚C
4
6
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
50m A
0
1.5
75 m A
6
0
4.4
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
350m
1
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
3
A
0.8
2.15
1.5
VCC
(V)
m
50
1.75
1.05 +0.2
-0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
8
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
5.45±0.1
I C – V CE 特性(代 表 例 )
5.5±0.2
C(
Tstg
単位
VCB=160V
25˚
PC
試 験 条 件
3.0
VCEO
記 号
0.8±0.2
ICBO
5.5
V
1.6
160
3.3
VCBO
記 号
外形図 FM100(T03PF)
(Ta=25℃)
規格値
23.0±0.3
単 位
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
16.2
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
4
200
Typ
100
50
20
0.02
0.1
0.5
1
5
100
25 ˚C
– 30 ˚C
50
20
0.02
8
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
5
8
1
0.5
0.2
1
10
100
f T – I E 特性(代表 例 )
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE =12V)
P c – Ta定 格
80
20
40
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
10
10
付
10
板
0.1
5
熱
エミッタ電流 I E (A)
–8
放
–1
40
20
放熱板なし
自然空冷
–0.1
大
0.5
10
限
1
無
コレクタ電流 I C (A)
60
s
遮断周波数 f T (MH Z )
0m
20
0
–0.02
DC
5
Typ
s
10
m
30
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
150
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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