2sc5287 ds jp

2SC5287
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧スイッチングトランジスタ)
550
V
IEBO
7
V
V(BR)CEO
A
hFE
VEBO
5(パルス10)
IC
試 験 条 件
単位
VCB=800V
100max
μA
VEB=7V
100max
μA
IC=10mA
550min
V
VCE=4V, IC=1.8A
10∼25
2.5
A
VCE(sat)
IC=1.8A, IB=0.36A
0.5max
PC
80(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=1.8A, IB=0.36A
1.2max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−0.35A
6typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
50typ
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
250
139
1.8
10
–5
0.27
–0.9
0.7max
4.0max
0.5max
1.05 +0.2
-0.1
5.45±0.1
C
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
7
1.5
I C /I B =5一定
6
250 mA
3
150 mA
2
I B =50mA
1
5
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ飽和電圧 V C E (sat) (V)
ベース飽和電圧 V B E (sat) (V)
400 mA
4
コレクタ電流 I C (A)
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat),V BE (sat) – I C 特性(代表例)
600mA
mA
2
3
B
VCC
(V)
0
70
ø3.2±0.1
5.45±0.1
I C – V CE 特性( 代 表 例 )
2.0±0.1
V
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
5
イ
4.8±0.2
ロ
IB
Tstg
15.6±0.4
9.6
1.8
VCEO
記 号
5.0±0.2
ICBO
2.0
V
4.0
900
19.9±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 MT-100(T03P)
(Ta=25℃)
規格値
4.0max
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
20.0min
■絶対最大定格
用途: スイッチングレギュレータ、一般用
1.0
V B E (sat)
0.5
4
3
2
1
V C E (sat)
0
1
2
3
0
0.03 0.05
4
0.1
0.5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
h FE – I C 温度特性( 代 表 例 )
スィッチング時間 t on• t s t g• t f (µs )
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
25 ˚C
– 55 ˚C
10
5
4
0.02
0.05
0.1
0.5
0
5 7
1
5
10
0.5
3
t s tg
V CC 250V
I C :I B1 :I B 2 =1:0.15: – 0.5
1
tf
0.5
t on
0.1
0.2
0.5
1
5
1
0.5
0.3
1
10
コレクタ電流 I C (A)
50
10
0µ
1000
P c – Ta定 格
20
10
100
時間 t(ms)
逆バイアスASO曲線
ASO 曲線(単発 パ ル ス )
20
1.0
θ j-a – t特 性
6
5
コレクタ電流 I C (A)
5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
t on •t stg • t f – I C 特 性( 代 表 例 )
(V CE =4V)
40
1
コレクタ電流 I C (A)
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
0
80
10
µs
5
s
付
最大許容損失 P C (W)
板
コレクタ電流 I C (A )
熱
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
134
40
20
0.05
0.05
0.03
10
放
0.1
0.1
放熱板なし
自然空冷
I B 2 = – 1.0A
L=3mH
Duty 1%以下
大
放熱板なし
自然空冷
1
0.5
限
1
0.5
無
コレクタ電流 I C (A )
60
500
0.03
50
100
500
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
1000
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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