2sd2083 ds jp

C
等価回路
2SD2083
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ（2SB1383とコンプリメンタリ）
用途：ソレノイド、モータ駆動、一般用
120
V
ICBO
VCB＝120V
10max
μA
VCEO
120
V
IEBO
VEB＝6V
10max
mA
6
V
V(BR)CEO
IC＝25mA
120min
A
hFE
VCE＝4V, IC＝12A
2000min
25(パルス40)
IC
VCE(sat)
IC＝12A, IB＝24mA
1.8max
VBE(sat)
IC＝12A, IB＝24mA
2.5max
V
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−1A
20typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
340typ
pF
120(Tc＝25℃)
Tj
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
24
2
12
10
–5
24
–24
1.0typ
6.0typ
1.0typ
2.0
1.05 +0.2
-0.1
40
5.45±0.1
C
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
3
A
0.65 +0.2
-0.1
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE ( sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
20m
2
3
B
I C – V CE 特性（代表 例 ）
2.0±0.1
ø3.2±0.1
5.45±0.1
VCC
(V)
A
イ
4.8±0.2
V
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
m
30
15.6±0.4
9.6
ロ
A
PC
4.0
V
W
2
IB
Tstg
単位
19.9±0.3
VEBO
規格値
試 験 条 件
1.8
VCBO
記 号
外形図 MT-100(T03P)
(Ta＝25℃)
単 位
5.0±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
(2kΩ) (100Ω) E
4.0max
ダーリントン
B
(V CE =4V)
25
12mA
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
6
1
5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
50
100
直流電流増幅率 h F E
1000
500
100
0.2
0.5
1
5
10
40
12
5˚C
5000
25
–
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
10000
5000
˚C
˚C
30
1000
500
100
0.2
0.5
1
10
5
f T – I E 特性（代 表 例 ）
）
温度
0˚C
（ケ
ース
度）
）
度
温
ス温
ス
ー
ケ
C（
ケー
−3
2.2
40
1
0.5
0.1
1
10
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
2
3
20000
Typ
1
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
(V CE =4V)
10000
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
h FE – I C 特性（代表例 ）
100
1000
時間 t(ms)
ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
120
100
100
50
Typ
100
1m
放
熱
板
付
最大許容損失 P C (W)
大
放熱板なし
自然空冷
1
限
コレクタ電流 I C (A)
s
5
無
m
50
DC
10
s
10
遮断周波数 f T (MH Z )
直流電流増幅率 h F E
0
500
ベース電流 I B (mA)
20000
˚C（
10
10
25
I B =1.5m A
12A
6A
1
5˚
3m A
I C =25A
2
12
5mA
コレクタ電流 I C (A)
8mA
20
20
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
30
50
0.5
0
–0.1
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
–5
–10
0.2
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
147