2sd2389 ds jp

C
等価回路
2SD2389
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1559とコンプリメンタリ)
VCEO
150
VEBO
IC
IB
ICBO
VCB＝160V
100max
μA
V
IEBO
VEB＝5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
IC＝30mA
150min
V
8
A
hFE
VCE＝4V, IC＝6A
5000min※
1
A
VCE(sat)
IC＝6A, IB＝6mA
2.5max
PC
80(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
Tj
150
℃
fT
−55∼＋150
Tstg
IC＝6A, IB＝6mA
3.0max
V
80typ
MHz
VCB＝10V, f＝1MHz
85typ
COB
℃
イ
4.8±0.2
2.0±0.1
ø3.2±0.1
ロ
V
VCE＝12V, IE＝−1A
15.6±0.4
9.6
1.8
V
単位
5.0±0.2
160
規格値
2.0
VCBO
E
外形図 MT-100(T03P)
(Ta＝25℃)
試 験 条 件
記 号
19.9±0.3
単 位
4.0
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
pF
2
4.0max
■絶対最大定格
(7 0 Ω )
用途：オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用
20.0min
ダーリントン
B
3
1.05 +0.2
-0.1
0.65 +0.2
-0.1
※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000)
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
60
10
6
10
–5
6
–6
0.6typ
10.0typ
0.9typ
(V CE =4V)
8
3
A
1. 3m A
0
2
4
0
6
0.2
0.5
1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
5
10
50
0
100 200
度）
˚C（
ケー
ス温
ス温
−30
2
θ j-a – t特 性
(V C E =4V)
50000
1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
40000
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性（代表例 ）
度）
）
温度
2
12
I B =0.3mA
I C =4A
1
4
ケー
2
I C =6A
C（
0.5mA
I C =8A
25˚
4
6
2
ース
0.8 mA
（ケ
1.0m A
5˚C
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
コレクタ電流 I C (A)
1.5m
6
0
1.4
E
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
5m
2. A
0m
A
1
2.
10mA
8
C
製品質量 約6.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V CE 特性（代 表 例 ）
m
.8
5.45±0.1
B
4
Typ
10000
5000
10000
25 ˚C
5000
– 30 ˚C
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
1000
1000
0.2
0.5
1
5
0.5
0.2
500
0.2
8
1
0.5
コレクタ電流 I C (A)
1
5
8
1
5
10
50 100
f T – I E 特性（代表 例 ）
500 1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ）
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
120
80
20
10
10
s
D
熱
板
40
付
コレクタ電流 I C (A)
放
放熱板なし
自然空冷
0.1
20
大
40
1
0.5
限
60
60
C
無
80
s
0m
5
Typ
遮断周波数 f T (MH Z )
m
10
100
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
20
0.05
0
–0.02
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
–8
0.03
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
150
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
149