2sd2560 ds jp

C
等価回路
2SD2560
シリコン三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1647とコンプリメンタリ)
VCEO
150
VEBO
IC
ICBO
VCB=150V
100max
μA
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
V
15
A
hFE
IC=30mA
150min
VCE=4V, IC=10A
5000min※
A
VCE(sat)
IC=10A, IB=10mA
2.5max
PC
130(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=10A, IB=10mA
3.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−2A
70typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
120typ
pF
1
IB
Tstg
15.6±0.4
9.6
1.8
V
単位
イ
4.8±0.2
5.0±0.2
150
規格値
2.0
VCBO
外形図 MT-100(T03P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0
単 位
19.9±0.3
規 格 値
記 号
E
用途:オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用
■電気的特性
(Ta=25℃)
(7 0 Ω )
2.0±0.1
ø3.2±0.1
ロ
V
2
4.0max
■絶対最大定格
20.0min
ダーリントン
B
3
1.05 +0.2
-0.1
0.65 +0.2
-0.1
※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000)
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
10
–5
10
–10
0.8typ
4.0typ
1.2typ
I C – V CE 特性 (代 表 例 )
1. 0m A
0
0
2
4
0
0.2
6
0.5
1
5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
50
(V C E =4V)
5000
1000
5˚
C
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h F E
10000
12
10000
25
5000
–
˚C
˚C
30
1000
1
5
10
500
0.2
15
0.5
1
5
10
15
度)
度)
)
0.1
1
10
ス温
ケー
˚C(
100
1000 2000
時間 t(ms)
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
80
ス温
温度
0.5
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
f T – I E 特性(代表 例 )
2.2
1.0
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
2
3.0
50000
Typ
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
50000
0.5
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
直流電流増幅率 h F E
0
100 200
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表 例 )
500
0.2
5
−30
I C =5A
ース
I C =10A
1
ケー
I B =0.3mA
C(
5
I C =15A
10
25˚
0.5mA
2
(ケ
コレクタ電流 I C (A)
0. 8m A
10
5˚C
1.5
mA
(V CE =4V)
15
3
A
12
2m
1.4
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
コレクタ電流 I C (A)
50mA
15
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
3mA
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
10mA
5.45±0.1
B
130
50
10
m
付
最大許容損失 P C (W)
板
コレクタ電流 I C (A)
熱
20
放
放熱板なし
自然空冷
大
1
0.5
限
5
無
遮断周波数 f T (MH Z )
100
s
40
DC
0m
10
s
10
Typ
60
50
0.1
0
–0.02 –0.05 –01
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
156
–5
–10
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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