2sd2562 ds jp

C
等価回路
2SD2562
シリコン三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1649とコンプリメンタリ)
150
μA
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
V
15
A
hFE
IC=30mA
150min
VCE=4V, IC=10A
5000min※
A
VCE(sat)
IC=10A, IB=10mA
2.5max
PC
85(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=10A, IB=10mA
3.0max
V
Tj
150
℃
fT
VCE=12V, IE=−2A
70typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=10V, f=1MHz
120typ
pF
1
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
40
4
10
10
–5
10
–10
0.8typ
4.0typ
1.2typ
I C – V CE 特性 (代 表 例 )
mA
2
4
0
0.2
6
0.5
1
5
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
10
50
(V C E =4V)
5000
1000
1
C
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W)
直流電流増幅率 h FE
Typ
10000
10000
˚
25
5000
–3
C
0˚C
1000
5
10
500
0.2
15
0.5
1
5
10
15
度)
ス温
0.5
0.1
1
10
100
1000 2000
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
f T – I E 特性 (代表 例 )
2.2
1.0
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
2
3.0
50000
˚
25
1
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
1
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
50000
度)
)
温度
0
100 200
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表 例 )
直流電流増幅率 h FE
5
ケー
I C =5A
˚C(
I C =10A
1
ース
I C =15A
10
−30
I B =0.3mA
2
(ケ
5
0.5
(V CE =4V)
5˚C
0.5mA
500
0.2
E
12
コレクタ電流 I C (A)
10
0
C
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
1. 0m A
0. 8m A
0
3.35
1.5
15
コレクタ電流 I C (A)
1.5
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
50mA
2m
0.65 +0.2
-0.1
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
3
A
4.4
B
V CE (sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
3mA
+0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
RL
(Ω)
0.8
2.15
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
15
1.75
1.05
※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000)
10mA
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCC
(V)
3.45 ±0.2
ス温
Tstg
5.5±0.2
ケー
IB
15.6±0.2
C(
IC
100max
25˚
VEBO
VCB=150V
3.0
VCEO
ICBO
0.8±0.2
V
単位
5.5
150
規格値
1.6
VCBO
外形図 FM100(T03PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
3.3
単 位
9.5±0.2
規 格 値
記 号
E
用途:オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用
■電気的特性
(Ta=25℃)
23.0±0.3
■絶対最大定格
(7 0Ω )
16.2
ダーリントン
B
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
80
50
100
付
最大許容損失 P C (W)
板
20
熱
放熱板なし
自然空冷
放
1
0.5
60
大
コレクタ電流 I C (A)
5
限
遮断周波数 f T (MH Z )
80
s
無
40
0m
s
DC
m
10
10
10
Typ
60
40
20
0.1
0
–0.02 –0.05 –01
–0.5
–1
エミッタ電流 I E (A)
158
–5
–10
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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