C 等価回路 2SD2641 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1624とコンプリメンタリ) VCEO 110 VEBO IC IB ICBO VCB＝110V 100max μA V IEBO VEB＝5V 100max μA 5 V V(BR)CEO IC＝30mA 110min V 6 A hFE VCE＝4V, IC＝5A 5000min※ 1 A VCE(sat) IC＝5A, IB＝5mA 2.5max PC 60(Tc＝25℃) W VBE(sat) Tj 150 ℃ fT −55∼＋150 Tstg IC＝5A, IB＝5mA 3.0max V 60typ MHz VCB＝10V, f＝1MHz 55typ COB ℃ イ 4.8±0.2 2.0±0.1 ø3.2±0.1 ロ V VCE＝12V, IE＝−2A 15.6±0.4 9.6 1.8 V 単位 5.0±0.2 110 規格値 2.0 VCBO E 外形図 MT-100(T03P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 19.9±0.3 単 位 4.0 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 pF 2 4.0max ■絶対最大定格 (7 0Ω ) 用途：オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用 20.0min ダーリントン B 3 1.05 +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 ※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000) ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） 5.45±0.1 5.45±0.1 B VCC (V) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) 30 6 5 10 –5 5 –5 0.8typ I C – V CE 特性（代 表 例 ） tstg (μs) tf (μs) 6.2typ 1.1typ C 1.4 E 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） I C =3A 2 0 4 0 6 0.1 0.5 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 5 10 50 ） 度 温 ス ー 0 100 (V C E =4V) 50000 1000 500 125 ˚C 10000 25 ˚C 5000 – 30 ˚C 1000 度） ス温 2 2.5 5 過渡熱抵抗 θ j -a (˚C /W) Typ 5000 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 10000 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h FE 1 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性 （代表 例 ） 50000 ） ケ 2 I B =0.1mA 0 ケー 1 ˚C（ I C =5A 4 −30 2 2 温度 0.2mA ース 4 C（ コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) コレクタ電流 I C (A) 0.3 mA (V CE =4V) 6 3 0. 4m A 5˚ A 25˚ 5m 12 0. コレクタ電流 I C (A) 5mA 6 C（ケ 1m A V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） 500 1 0.5 100 0.01 0.1 0.5 1 100 0.01 56 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 1 56 5 10 50 100 f T – I E 特性（代表 例 ） 500 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 80 10 10 熱 板 付 最大許容損失 P C (W) 放 コレクタ電流 I C (A ) 大 20 40 限 s 1 0.5 無 0m s 40 C 10 D m 5 60 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 20 Typ 20 放熱板なし 自然空冷 0.1 0 –0.02 –0.1 –1 エミッタ電流 I E (A) 160 –6 放熱板なし 0.05 3 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150