C 等価回路 2SD2643 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1625とコンプリメンタリ) 110 VEBO IC IB VCB＝110V 100max μA V IEBO VEB＝5V 100max μA 5 V V(BR)CEO IC＝30mA 110min V 6 A hFE VCE＝4V, IC＝5A 5000min※ 1 A VCE(sat) IC＝5A, IB＝5mA 2.5max PC 60(Tc＝25℃) W VBE(sat) Tj 150 ℃ fT −55∼＋150 ℃ COB Tstg 15.6±0.2 IC＝5A, IB＝5mA 3.0max V 60typ MHz VCB＝10V, f＝1MHz 55typ pF 1.75 1.05 5.45±0.1 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 30 6 5 10 –5 5 –5 0.8typ 6.2typ 1.1typ I C – V CE 特性（代表 例 ） 4.4 B V CE ( sat) – I B 特 性 （ 代 表 例 ） +0.2 -0.1 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 1.5 RL (Ω) 0.8 2.15 ※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000) VCC (V) 3.45 ±0.2 ø3.3±0.2 イ ロ V VCE＝12V, IE＝−0.5A 5.5±0.2 3.0 VCEO ICBO 0.8±0.2 V 単位 5.5 110 規格値 1.6 VCBO 外形図 FM100(T03PF) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 3.3 単 位 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 1.5 C E I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 0 2 4 0 6 0.5 0.1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 5 10 50 (V C E =4V) 50000 5000 1000 500 125 ˚C 10000 25 ˚C 5000 – 30 ˚C 1000 ） 度 温 ス 度） ス温 1 2 2.5 5 過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W) Typ ） ー 0 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） 10000 温度 ケ 0 100 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 直流電流増幅率 h F E 直流電流増幅率 h FE 1 ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性 （代表 例 ） 50000 ース 2 I B =0.1mA 0 ケー I C =3A ˚C（ 1 −30 2 I C =5A 4 C（ 0.2mA 2 25˚ 4 C（ケ コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) コレクタ電流 I C (A) 0.3 mA (V CE =4V) 6 3 0. 4m A 5˚ A 12 5m コレクタ電流 I C (A) 0. 3.35 製品質量 約6.5g イ．品名 ロ．ロット番号 A 1m 5mA 6 E 用途：オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用 23.0±0.3 ■絶対最大定格 (7 0Ω ) 16.2 ダーリントン B 500 1 0.5 100 0.01 0.1 0.5 1 100 0.01 56 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 1 56 5 10 f T – I E 特性（代表 例 ） 50 100 500 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE =12V) 80 Typ 10 10 板 付 最大許容損失 P C (W) 熱 コレクタ電流 I C (A ) 放 20 大 0.5 40 限 s 1 無 0m s 40 C 10 D m 5 60 遮断周波数 f T (MH Z ) 60 20 20 放熱板なし 自然空冷 0.1 0 –0.02 –0.1 –1 エミッタ電流 I E (A) 162 –6 放熱板なし 0.05 3 5 10 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150