2sd2643 ds jp

C
等価回路
2SD2643
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ(2SB1625とコンプリメンタリ)
110
VEBO
IC
IB
VCB=110V
100max
μA
V
IEBO
VEB=5V
100max
μA
5
V
V(BR)CEO
IC=30mA
110min
V
6
A
hFE
VCE=4V, IC=5A
5000min※
1
A
VCE(sat)
IC=5A, IB=5mA
2.5max
PC
60(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
Tj
150
℃
fT
−55∼+150
℃
COB
Tstg
15.6±0.2
IC=5A, IB=5mA
3.0max
V
60typ
MHz
VCB=10V, f=1MHz
55typ
pF
1.75
1.05
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
30
6
5
10
–5
5
–5
0.8typ
6.2typ
1.1typ
I C – V CE 特性(代表 例 )
4.4
B
V CE ( sat) – I B 特 性 ( 代 表 例 )
+0.2
-0.1
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
1.5
RL
(Ω)
0.8
2.15
※ランク O(5000∼12000), P(6500∼20000), Y(15000∼30000)
VCC
(V)
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCE=12V, IE=−0.5A
5.5±0.2
3.0
VCEO
ICBO
0.8±0.2
V
単位
5.5
110
規格値
1.6
VCBO
外形図 FM100(T03PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
3.3
単 位
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
1.5
C
E
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
0
2
4
0
6
0.5
0.1
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
5
10
50
(V C E =4V)
50000
5000
1000
500
125 ˚C
10000
25 ˚C
5000
– 30 ˚C
1000
)
度
温
ス
度)
ス温
1
2
2.5
5
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
Typ
)
ー
0
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
10000
温度
ケ
0
100
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE =4V)
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h FE
1
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性 (代表 例 )
50000
ース
2
I B =0.1mA
0
ケー
I C =3A
˚C(
1
−30
2
I C =5A
4
C(
0.2mA
2
25˚
4
C(ケ
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
0.3 mA
(V CE =4V)
6
3
0. 4m A
5˚
A
12
5m
コレクタ電流 I C (A)
0.
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
A
1m
5mA
6
E
用途:オーディオ、シリーズレギュレータ、一般用
23.0±0.3
■絶対最大定格
(7 0Ω )
16.2
ダーリントン
B
500
1
0.5
100
0.01
0.1
0.5
1
100
0.01
56
0.1
コレクタ電流 I C (A)
0.5
1
1
56
5
10
f T – I E 特性(代表 例 )
50 100
500 1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE =12V)
80
Typ
10
10
板
付
最大許容損失 P C (W)
熱
コレクタ電流 I C (A )
放
20
大
0.5
40
限
s
1
無
0m
s
40
C
10
D
m
5
60
遮断周波数 f T (MH Z )
60
20
20
放熱板なし
自然空冷
0.1
0
–0.02
–0.1
–1
エミッタ電流 I E (A)
162
–6
放熱板なし
0.05
3
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
200
3.5
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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