fmn-3306s ds jp

FMN-3306S
SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
1 適用範囲
Scope
この規格は、FMN-3306Sについて適用する。
The present specifications shall apply to FMN-3306S.
2 概要
Outline
High Frequency Rectification
種
別
拡散型ダイオード
Type
Silicon Diode
構
Structure
造
樹脂封止型
Resin Molded
主
用
Applications
途
高周波整流
High Frequency Rectification
3 不燃化度
Flammability
規格 UL94V-0 相当品
UL94V-0(Equivalent)
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FMN-3306S
SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
4 絶対最大定格
Absolute maximum ratings
項
No.
1
2
3
4
目
Item
ピーク非繰返し逆電圧
Transient Peak Reverse Voltage
ピーク繰返し逆電圧
Peak Reverse Voltage
平均順電流
Average Forward Current
サージ順電流
Peak Surge Forward Current
2
5
6
7
I t 限界値
I2t Limiting Value
接合部温度
Junction Temperature
保存温度
Storage Temperature
記号
単位
Symbol
Unit
Rating
VRSM
V
600
VRM
V
600
IF(AV)
A
30
IFSM
A
150
I2 t
A2s
112.5
Tj
℃
−40∼+150
Tstg
℃
−40∼+150
定
格
条
件
Conditions
減定格7項参照
Refer to Derating of 7
10msec.正弦半波単発
Half sinewave, one shot
1msec≦t≦10msec
No.1,2,4,5 は一素子当たりの定格を示す。
No.1,2,4&5 show ratings per one chip.
5 電気的特性
Electrical characteristics
項
No
.
1
2
目
Item
順方向降下電圧
Forward Voltage Drop
逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current
記号
単位
Symbol
Unit
特
Value
性
条
件
VF
V
1.3 max.
IF=30A
IR
µA
200 max.
VR=VRM
H・IR
mA
20 max.
Trr1
ns
150 max
IF=IRP=500mA
90% Recovery point, Tj=25℃
Trr2
ns
100 max
IF=500mA,IRP=1A
75% Recovery point, Tj=25℃
Rth(j-c)
℃/W
2.0 max.
Conditions
高温逆方向漏れ電流
3
4
5
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
逆方向回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
VR=VRM, Tj=150℃
接合部−ケース間
Between Junction and case
No.1,2,3,4 は一素子当たりの特性を示す。
No.1, 2, 3&4 show characteristics per one chip.
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FMN-3306S
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6 特性
Characteristics
平均順電流―順電力損失
IF(AV) − PF
60
Tj=150℃
50
t
順電力損失 PF (W)
Forward Power Dissipation (W)
T
t/T=1/6
40
t/T=1/3,Sinewave
30
t/T=1/2
DC
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
平均順電流 IF(AV) (A)
Average Forward Current (A)
逆電圧―逆電力損失
VR − PR
12
Tj=150℃
10
t
逆電力損失 PR (W)
Reverse Power Dissipation (W)
T
1-t/T=5/6
8
1-t/T=2/3
6
1-t/T=1/2
4
2
Sinewave
0
0
100
200
300
400
500
600
逆電圧 VR (V)
Reverse Voltage (V)
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7 減定格
Derating
ケース温度―平均順電流
Tc − IF(AV)
VR=0(V)
30
DC
25
平均順電流 IF(AV) (A)
Average Forward Current (A)
t/T=1/3、Sinewave
t/T=1/2
20
t/T=1/6
15
10
Tj=150℃
5
t
T
0
0
50
100
150
ケース温度 Tc (℃)
Case Temperature (℃)
ケース温度―平均順電流
Tc − IF(AV)
VR=600(V)
30
D.C.
平均順電流 IF(AV) (A)
Average Forward Current (A)
25
t/T=1/3
20
15
t/T=1/6
10
Tj=150℃
5
Sinewave
t
t/T=1/2
T
0
0
50
100
150
ケース温度 Tc (℃)
Case Temperature (℃)
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8 外形
Package information
8-1外形、寸法および材質 Package type, physical dimensions and material
*1
*2
*3
*3
単位:㎜
Dimensions in ㎜
8-2外観
Appearance
本体は、汚れ、傷、亀裂等なく綺麗であること。
The body shall be clean and shall not bear any stain, rust or flaw.
8-3標示 Marking
標
品
示
名
Type Name
Marking
*1
品名
*2
Type Name
極性
*3
Polarity
ロット番号
Lot number
第 1 文字:年(西暦年号下一桁)
1st letter: Last digit of year
第 2 文字:月 1∼9 月→1∼9
2nd letter: Month From 1 to 9 for Jan. to Sep.,
FMN-3306S
N3306
10 月→O、11 月→N、12 月→D
S
O for Oct., N for Nov., D for Dec.
第 3,4 文字:日
3rd & 4th letter: Day
例:2809 (2012 年 8 月 9 日製造)
ex. 2809 (Aug.9, 2012)
9 内部構造図 Internal structure diagram
①
No.
①
②
②
③
④
⑤
製品質量:約 6.5g
Weight of products: Approx. 6.5g
‘120809
③
④
⑤
部品名
Name of part
材
質
Materials
フレーム:ヒートシンク
ニッケルメッキ銅
Frame: Heat Sink
Nickel Plated Copper
素
子
Chip
シリコン
Silicon
内部リード
Inner Leads
アルミニュウム線
Aluminum Wire
エポキシ樹脂
Epoxy Resin
フレーム:リード端子 ニッケルメッキ銅+半田ディップ
樹
脂
Resin body
Frame: Pin
Nickel Plated Copper + Solder Dipped
5/5
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