2章 SiCデバイス PDF [438KB] view_mark(2016,04,15,"up")

2
SiCデバイス/SiC Devices
SiCデバイス
SiC Devices
SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作
を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー
半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現す
ることができます。
SiC
SiC devices have excellent characteristics that realize high
blocking voltage, low power dissipation, high-frequency
operation and high-temperature operation.
Power semiconductors that make use of SiC achieve significant
reduction in energy consumption, and can be used to develop
smaller and lighter products.
■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
Ɣ High performance chips
■特長 Features
高性能チップ適用
· V series IGBT for low loss operation
・低損失の V シリーズ IGBT
· SiC-SBD for low loss operation
・低損失の SiC-SBD
Ɣ The same package lineup as the conventional Si-IGBT
従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換
modules
■6個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class
Solder pins
N
1200V
Ic
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
100A 6MSI100VB-120-50
Thermistor
P
P
U
U
V
W
62
V
W
2
12
N
M633
Dimension [mm]
型 式
Device type
●
6MSI100VB-120-50
VCES
VGES
Volts Volts
1200 ±20
PC
IC
Cont.
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Amps. Watts Volts
100
520
1.75
Amps.
100
●:新製品 New Products
注: EconoPACK™はInfineon Technologies社の登録商標です。
Note: EconoPACK™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany.
46
スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
ȝsec.
ȝsec.
ȝsec.
0.39
0.42
0.05
パッケージ 質量
Package Net
mass
Grams
M633
300
SiCデバイス/SiC Devices
2
■ PIM(コンバータ部、ブレーキ部内蔵)EconoPIM™ 600, 1200V クラス
PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class
P P)
P
P1
N
N1
R
62
S
V
U
T
Ic
35A
50A
75A
100A
W
R
S
T
B
U
V
W
2
12
M712
N N)
600V
1200V
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
7MSR35VB120-50
7MSR50VB060-50
7MSR50VB120-50
7MSR75VB060-50
7MSR100VB060-50
SiC
Thermistor
B
Dimension [mm]
型 式
Device type
●
●
●
●
●
7MSR50VB060-50
7MSR75VB060-50
7MSR100VB060-50
7MSR35VB120-50
7MSR50VB120-50
ブレーキ部 Brake [IGBT+FED] コンバータ部 Converter [Diode]
VCES
IC
VRRM VRRM
IO
VFM
IFSM
Typ.
Cont.
Cont.
Volts
Volts Volts
Amps.
Amps. Volts
Amps.
600
50
600
800
50
1.3
210
600
50
600
800
75
1.25
500
600
50
600
800
100
1.25
700
1200
25
1200 1600
35
1.35
260
1200
35
1200 1600
50
1.35
360
インバータ部 Inverter [IGBT]
VCES IC
PC
VCE(sat)
Typ.
Cont.
Volts Amps. Watts Volts
600
50
215
1.6
600
75
300
1.6
600
100
335
1.6
1200
35
210
1.85
1200
50
280
1.85
パッケージ 質量
Package Net
mass
Grams
M712
330
M712
330
M712
330
M712
330
M712
330
●:新製品 New Products
注: EconoPIM™はInfineon Technologies社の登録商標です。
Note: EconoPIM™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany.
■2個組 1200, 1700V クラス Standard 2-pack 1200, 1700 volts class
Ic
92
45
1200V
1700V
IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series
200 2MSI200VAB-120-53
M274
300 2MSI300VAH-120C-53
8
62
10
M276
300 2MSI300VAN-120-53
450 2MSI450VAN-120-53
550
600 2MSI600VAN-120-53
400
Thermistor
0
15
62
M254
80
2MSI450VAN-170-53
2MSI550VAN-170-53
2MSI400VE-170E-53
0
11
M277
1200
14
0
2MSI1200VAT-170PC
2MSI1200VAT-170EC
0
13
M256
Dimension [mm]
型 式
Device type
〇
●
〇
〇
〇
〇
〇
●
〇
〇
2MSI200VAB-120-53
2MSI300VAH-120C-53
2MSI300VAN-120-53
2MSI450VAN-120-53
2MSI600VAN-120-53
2MSI450VAN-170-53
2MSI550VAN-170-53
2MSI400VE-170-53
2MSI1200VAT-170PC
2MSI1200VAT-170EC
VCES
VGES
Volts Volts
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1200 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
1700 ±20
IC
PC
Cont.
Amps.
200
300
300
450
600
450
550
400
1200
1200
VCE(sat) (VGE=15V)
Typ.
IC
Watts Volts
1500
1.75
1600
1.75
1595
1.75
2270
1.75
3750
1.85
2500
2.00
3750
2.15
4540
2.00
7040
1.80
7040
2.00
Amps.
200
300
300
450
600
450
550
400
1200
1200
スイッチングタイム Switching time
ton
toff
tf
Typ.
Typ.
Typ.
ȝsec.
ȝsec.
ȝsec.
T.B.D
T.B.D
T.B.D
0.82
0.84
0.09
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
1.05
1.95
0.09
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
T.B.D
パッケージ 質量
Package Net
mass
Grams
M274
270
M276
370
M254
300
M254
300
M254
300
M254
300
M254
300
M277
470
M256
900
M256
900
●:新製品 New Products ○:開発中 Under development
47
2
SiCデバイス/SiC Devices
■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD)
■特長 Features
高速スイッチング特性
Ɣ High speed switching
・電源の高周波動作、システムの小型軽量化
· High-frequency operation,miniaturization,weight saving
低 VF 特性
Ɣ Low-VF
低 IR 特性
Ɣ Low-IR
SiC
・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化
高逆サージ耐量
· Tj=175°C Guaranteed, High-temperature operation,
Low-Loss, High efficiency
Ɣ High avalanche capability
■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series
SiC-SBD Series
結線
シングル
Single
デュアル
Dual
VRRM (V)
650
1200
650
1200
型 式
Device type
○
○
○
○
○
○
○
FDCP06S65
FDCP08S65
FDCP10S65
FDCP20C65
FDCP25S65
FDCA10S65
FDCA20C65
FDCA25S65
FDCA06S65
FDCA08S65
FDCY10S65
FDCY20C65
FDCY25S65
FDCY50C65
FDCC10S65
FDCC20C65
FDCC25S65
FDCA18S120
FDCY18S120
FDCY36C120
Io (A)
6
8
10
25
18
20
50
36
絶対最大定格
Maximaum rating
VRRM
IO *1
Volts
Amps.
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
1200
1200
1200
TO-220
TO-220F
IFSM *2
Amps.
6
8
10
20
25
10
20
25
6
8
10
20
25
50
10
20
25
18
18
36
○:開発中 Under development
*1 50Hz 方形波 duty=1/2
*2 正弦波 10ms
*3 VR=VRRM
48
*1 50Hz Square wave duty=1/2
*2 Sine half wave, 10ms
*3 VR=VRRM
34
40
50
50
100
50
50
100
34
40
50
50
100
100
50
50
100
90
90
90
接合温度
Thermal rating
Tj (°C)
MAX
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
TO-247
T-Pack(s)
電気的特性 (Ta=25°C)
Characteristics
VFM
IRRM *3
MAX. Volts
MAX. —A
1.8
10
1.8
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.6
10
1.8
10
1.8
10
1.6
10
1.7
10
1.7
10
1.7
10
パッケージ
Package
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220
TO-220F
TO-220F
TO-220F
TO-220F
TO-220F
TO-247
TO-247
TO-247
TO-247
T-Pack(S)
T-Pack(S)
T-Pack(S)
TO-220F
TO-247
TO-247
SiCデバイス/SiC Devices
2
■自動車用 SiC ショットキーバリアダイオード Automotive SiC Schottky-Barrier Diodes
結線
シングル
Single
デュアル
Dual
VRRM (V)
650
1200
FDCP10S65A
FDCY10S65A
FDCC10S65A
FDCP20C65A
FDCY20C65A
FDCC20C65A
FDCP25S65A
FDCY25S65A
FDCC25S65A
FDCY50C65A
FDCY18C120A
FDCY36C120A
TO-247
T-Pack(s)
Io (A)
10
25
18
20
50
36
1200
650
型 式
Device type
TO-220
SiC
SiC-SBD Series
VRRM
Io
IFSM
VF
max.
Volts
Amps.
10
10
10
20
20
20
25
25
25
50
18
36
Amps.
100
100
100
100
100
100
190
190
190
190
180
180
Volts
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
1200
1200
*1
*1
*1
*1
*1
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.7
1.7
1.7
1.7
1.8
1.8
IRRM
max.
rating
Tj and Tstg
mA
°C
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.005
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
-55 to +175
パッケージ 質量
Package Net
mass
Grams
TO-220
2.0
TO-247
6.4
T-Pack(S) 1.6
TO-220
2.0
TO-247
6.4
T-pack
1.6
TO-220
2.0
TO-247
6.4
T-pack
1.6
TO-247
6.4
TO-247
6.4
TO-247
6.4
* 1 : 2 in 1 package, IF=0.5Io
49
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