2in1パッケージモジュールの並列接続

富士 IGBT モジュール
－
V シリーズ
1200V 系列
－
2in1 パッケージモジュールの並列接続
回路構成と計算式
ΔVon=|Von2-Von1| (Von2>Von1)
Von1
Von2
Ic(ave)=(I1+I2)/2
電流アンバランスは Von1、Von2 の差異によ
って発生し、電流は I1、I2 に分かれます。こ
の場合、電流アンバランスは下記の計算式で
求めることができます。
 I

o
Current imbalance rate  at Tj=125 C (%)
   1  1  100

 I C ( ave)
I1 ↓
↓ I2
(%)
30
25
20
FWD
15
IGBT
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
o
Von at Tj=25 C (V)
0.5
0.6
ΔVon と電流アンバランス率
n 素子を並列接続した場合の許容最大電流∑I は、2 並列時の電流アンバランス率αを用いて以下の式で
表すことができます。なお本許容最大電流∑I は参考値となります。

 

1 


 100  


1

(

1
)
I
I
n
 C (max) 
 

1 


 100  
技術資料：MT5F24335
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