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1N5820 ... 1N5822
1N5820 ... 1N5822
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden
Version 2010-06-01
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
1g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
20...40 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7.5±0.1
Type
±0.5
Ø 4.5+0.1
-0.3
62.5
3A
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
1N5820
20
20
< 0.85
1N5821
30
30
< 0.90
1N5822
40
40
< 0.95
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
3 A1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
15 A 2)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
150 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
1
1
TS
110 A2s
-50...+150°C
-50...+175°C
IF = 9.4 A,Tj = 25°C
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
1N5820 ... 1N5822
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 2 mA
< 20 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 8 K/W
2
120
10
[%]
[A]
100
1N5820
10
80
1N5821
1
60
1N5822
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
1
2
Tj = 25°C
-2
0.2
VF
0.6
0.8
[V]
1.2
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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