1N5820 ... 1N5822 1N5820 ... 1N5822 Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden Version 2010-06-01 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ~ DO-201 Weight approx. Gewicht ca. 1g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 1.2±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and Characteristics Type Typ 20...40 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7.5±0.1 Type ±0.5 Ø 4.5+0.1 -0.3 62.5 3A Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) 1N5820 20 20 < 0.85 1N5821 30 30 < 0.90 1N5822 40 40 < 0.95 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 3 A1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 15 A 2) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 150 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj 1 1 TS 110 A2s -50...+150°C -50...+175°C IF = 9.4 A,Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N5820 ... 1N5822 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 2 mA < 20 mA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 25 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 8 K/W 2 120 10 [%] [A] 100 1N5820 10 80 1N5821 1 60 1N5822 40 10-1 20 IF IFAV 0 10 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 1 2 Tj = 25°C -2 0.2 VF 0.6 0.8 [V] 1.2 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG