TEMD5110X01 Datasheet - - Japanese

TEMD5110X01
Vishay Semiconductors
シリコン製 PIN フォトダイオード
特長
• パッケージタイプ:表面実装
• パッケージ形態:トップビュー
• 寸法(長さ × 幅 × 高さ 単位:mm)
:5 x 4.24
x 1.12
• 受光領域(単位:mm2):7.5
• AEC-Q101 準拠
• 高い放射線反応性
• 870 ∼ 950 nm のエミッタに合った光遮断フィ
ルタ
• 高速の応答時間
• 指向半値角: = ± 65°
• フロアライフ:72 時間、MSL 4、J-STD-020 に対応
• RoHS 指令 2002/95/EC および WEEE 2002/96/EC に準拠
20535_1
製品紹介
TEMD5110X01 は、高速かつ高感度な PIN フォトダイオー
ドです。このダイオードは、7.5 mm2 の受光領域を持つチッ
プと 870 nm または 950 nm の波長で動作する IR エミッタ
に合った光遮断フィルタを小型の表面実装デバイス(SMD)
に組み込んでいます。
用途
• 赤外線照射の高速検出
• TSFFxxxx シリーズの IR エミッタと共に使用し、赤外線リ
モートコントロールおよびフリーの無線送信システム等
向け
製品概要
型名
TEMD5110X01
Ira ( オ A)
 (deg)
0.5 (nm)
55
± 65
790 ∼ 1050
パッケージ
備考
パッケージ形態
テープおよびリール
MOQ:1500 個、1500 個 / リール
トップビュー
注:
試験条件については、「基本特性」の表を参照してください。
オーダー情報
オーダーコード
TEMD5110X01
注:
MOQ:最小発注量
絶対最大定格
パラメータ
試験条件
逆電圧
許容損失
Tamb  25 °C
ジャンクション温度
使用温度範囲
保存温度範囲
はんだ付け温度
熱抵抗ジャンクション / 雰囲気
リフローはんだ付けプロファイル
の図 8 に準拠
SYMBOL
値
VR
60
単位
V
PV
215
mW
Tj
100
°C
Tamb
- 40 ∼ + 100
°C
Tstg
- 40 ∼ + 110
°C
Tsd
260
°C
RthJA
350
K/W
注:
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
** 「Vishay Material Category Policy (www.vishay.com/doc?99902)」を参照してください。
Document Number: 81983
Rev. 1.6, 23-Aug-11
For technical questions, contact: [email protected]
www.vishay.com
1
本文書は、予告なしに変更される場合があります。ここに記載された製品および本文書は、ビシェイ社の免責条項に基づいています。詳細はビシェイ社の
ウェブサイト(www.vishay.com/doc?99900 )をご参照ください。
TEMD5110X01
シリコン製 PIN フォトダ
イオード
Vishay Semiconductors
基本特性
パラメータ
試験条件
SYMBOL
IF = 50 mA
VF
TYPICAL
MAX.
単位
1
1.3
IR = 100 オ A, E = 0
V(BR)
V
VR = 10 V, E = 0
Iro
2
30
nA
VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CD
70
順電圧
耐圧
逆方向暗電流
ダイオード静電容量
MIN.
60
V
pF
VR = 3 V, f = 1 MHz, E = 0
CD
25
オープン回路電圧
Ee = 1 mW/cm2,  = 950 nm
Vo
350
mV
Vo の温度係数
Ee = 1 mW/cm2,  = 950 nm
TKVo
- 2.6
mV/K
ショート回路電流
Ee = 1 mW/cm2,  = 950 nm
Ik
50
オA
Ik の温度係数
Ee = 1 mW/cm2,  = 950 nm
TKIk
0.1
%/K
逆方向光電流
Ee = 1 mW/cm2,  = 950 nm,
VR = 5 V
Ira
55
オA
deg
45
40
pF
指向半値角

ア 65
ピーク感度波長
p
940
nm
 0.5
790 ∼ 1050
nm
スペクトルバンド幅の範囲
ノイズ等価電力
VR = 10 V,  = 950 nm
NEP
4 x 10-14
W/Hz
立ち上がり時間
VR = 10 V, RL = 1 k,
 = 820 nm
tr
100
ns
立ち下がり時間
VR = 10 V, RL = 1 k,
 = 820 nm
tf
100
ns
注:
特に指定がない限り Tamb = 25 °C
基本特性
特に指定がない限り Tamb = 25°C
I ra rel - Relative Reverse Light Current
Iro - Reverse Dark Current (nA)
1000
100
10
VR = 10 V
1
20
94 8403
40
60
80
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 1 - 逆方向暗電流 VS. 周囲温度
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2
1.4
VR = 5 V
λ = 950 nm
1.2
1.0
0.8
0.6
0
100
94 8409
20
40
60
80
100
Tamb - Ambient Temperature (°C)
図 2 - 相対逆方向光電流 VS. 周囲温度
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シリコン製 PIN フォトダ
Vishay Semiconductors
イオード
1.2
S(λ)rel - Relative Spectral Sensivity
100
10
VR = 5 V
λ = 950 nm
1
0.1
0.01
0.1
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
750
10
850
950
0°
100
Srel - Relative Radiant Sensitivity
Ira - Reverse Light Current (µA)
0.5 mW/cm 2
0.2 mW/cm 2
10
0.1 mW/cm 2
0.05 mW/cm 2
λ = 950 nm
1
10
20°
40°
1.0
0.9
50°
0.8
60°
70°
0.7
100
VR - Reverse Voltage (V)
12788
10°
30°
1 mW/cm 2
0.1
1150
図 6 - 分光感度特性
図 3 - 逆方向光電流 VS. 放射照度
1
1050
λ - Wavelength (nm)
94 8426
Ee - Irradiance (mW/cm2)
12787
1.0
ϕ - Angular Displacement
Ira - Reverse Light Current (µA)
1000
80°
0.6
0.4
0.2
0
94 8406
図 7 - 相対放射感度 VS. 角変位
図 4 - 逆方向光電流 VS. 逆電圧
CD - Diode Capacitance (pF)
80
E=0
f = 1 MHz
60
40
20
0
0.1
948407
1
10
100
VR - Reverse Voltage (V)
図 5 - 逆電圧 VS. 端子間容量
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TEMD5110X01
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シリコン製 PIN フォトダ
イオード
パッケージ寸法単位:ミリメートル[mm]
Drawing-No.: 6.541-5060.01-4
Issue: 3; 05.02.08
Not indicated tolerances ± 0.1
20536
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4
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シリコン製 PIN フォトダ
Vishay Semiconductors
イオード
テープ寸法単位:ミリメートル[mm]
20537
リール寸法単位:ミリメートル[mm]
20874
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シリコン製 PIN フォトダ
イオード
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はんだ付けプロファイル
ドライパック
300
255 °C
240 °C
217 °C
250
Temperature (°C)
max. 260 °C
245 °C
フロアライフ
200
max. 30 s
150
max. 100 s
max. 120 s
100
max. ramp up 3 °C/s max. ramp down 6 °C/s
50
0
0
19841
50
100
150
200
250
300
Time (s)
図 8 - 鉛フリーリフローはんだ付けプロファイル
J-STD-020D に準拠
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6
水分の吸収を防止するため、デバイスは水分遮断バッグ
(MBB)に詰めて輸送および保管されています。それぞれの
バッグには乾燥剤が同封されています。
MBB
から取り出してからはんだ付けまでの時間は、
J-STD-020 に示される時間を超えてはなりません。
MSL:レベル 4
フロアライフ:72 時間
条件:Tamb < 30°C、RH < 60 %
乾燥
水分が吸収されている場合は、はんだ付けを行う前にデバ
イ ス を 加 熱 し 乾 燥 さ せ て く だ さ い。条 件 に つ い て は、
J-STD-020 または推奨条件:
192 時間、40 °C (+ 5 °C)、RH < 5 %
または
96 時間、60°C (+ 5 °C)、RH < 5 % に従ってください。
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一切の黙示保証を、法律により許される最大限の範囲において拒否します。
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ます。データシートまたは仕様書に記載されているパラメータは、違う用途では異なることが有り、性能は時間の経過と共に
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明示的にも暗黙的にも、また禁反言か否かに関わらず、本文書またはビシェイの何らかの行為によって何らかの知的所有権の
使用が許諾されることはありません。本書に示された製品名や表示は、その所有者の商標である場合があります。
欧州指令に つ い て
ビシェイ・インターテクノロジー社は、RoHS に準拠するすべての製品は、電気・電子機器(EEE)における特定の有害物質
の使用を規制する欧州議会及び理事会による新指令(Directive 2011/65/EU of The European Parliament and of the Council
of June 8, 2011)に適合することをここに証明します。ただし、準拠しないと明記されている場合を除きます。
ビシェイ社の資料によっては、RoHS 指令 2002/95/EC に適合と記述するものがあります。指令 2002/95/EC に適合するすべ
ての製品は、指令 2011/65/EU にも適合することをここに証明します。
ビシェイインターテクノロジー社は、同社の製品すべてが JEDEC JS709A に準拠するハロゲンフリーであることをこの書面
にて証明します。ビシェイ社製品の文献の中には、IEC 61249-2-21 の定義が残るものもありますが、これら製品はすべて
JEDEC JS709A に準拠します。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99900