VO3052, VO3053 Datasheet - - Chinese (Simplified)

VO3052, VO3053
Vishay Semiconductors
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
特性
• 电压变化率:1500V/μs ( 最小值 )、 2000V/μs( 典型值 )
• 600V 阻断电压
A 1
6 MT2
C 2
5 NC
• 100mA 通态电流
• 低输入触发电流
• 6 引脚 DIP 封装
• 符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 WEEE 2002/96/EC 的规定
4 MT1
NC 3
i179041-3
应用
V
D E
• 家用电器
• Triac 驱动 / 交流电机驱动
• 电磁阀控制
i179041-2
• 办公自动化设备 / 机器
说明
• 温度 (HVAC)/ 照明控制
VO3052 和 VO3053 TRIAC 驱动器系列配有一个 GaAs 红外
LED,与单片光敏非过零 TRIAC 探测器芯片进行光耦合。
• 开关电源
600 V 阻断电压允许控制高达 240 VAC 的离线电压,安全系
数不低于 2,足以控制 380 V 的电压。
机构认证
• UL 认证:文件编号 E52744,系统代码:H 或 J
• cUL 认证:文件编号 E52744,相当于 CSA 公告 5A
• DIN EN 60747-5-5(VDE 0884) 认证 ( 选项 1)
订购信息
V
O
3
0
5
#
-
X
0
部件编号
#
封装选项
#
DIP
Option 6
7.62 mm
10.16 mm
Option 7
Option 9
T
编带和
卷轴
> 0.1 mm
> 0.7 mm
触发电流 IFT(mA)
AGENCY CERTIFIED/PACKAGE
UL, cUL, BSI
5
10
VO3053
VO3052
VO3053-X006
VO3052-X006
SMD-6, 选项 7
VO3053-X007T
VO3052-X007T
SMD-6, 选项 9
VDE, UL, cUL, BSI
VO3053-X009T
-
5
10
-
VO3052-X016
DIP-6
DIP-6, 400 毫米 , 选项 6
DIP-6, 400 毫米 , 选项 6
Document Number: 82377
Rev. 2.0, 11-Jul-12
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1
VO3052, VO3053
Vishay Semiconductors
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
最大绝对额定值 (1)
参数
输入
测试条件
部件
符号
数值
单位
反向电压
VR
6
V
正向电流 - 连续
IF
60
mA
Pdiss
100
mW
VDRM
600
V
ITSM
1
A
Pdiss
200
mW
IT(RMS)
100
mA
VISO
5300
VRMS
总功率耗散
Ptot
300
mW
工作温度
Tamb
- 55 to + 100
°C
存放温度
Tstg
- 55 to + 150
°C
Tsld
260
°C
功率耗散
输出
断态输出端子电压
重复峰值浪涌电流
VO3052, VO3053
PW = 100 ms, 120 pps
功率耗散
通态 RMS 电流
耦合器
隔离测试电压
焊接温度 (2)
t=1s
10 s
注释
(1)
(2)
Tamb = 25 °C,除非另外说明。
应力超过最大绝对额定值会引起器件的永久性损伤。这些器件在这些条件或其他任何超过本文档操作部分给定值的条件下,都无法正常运行。
过长时间处于最大绝对额定值会对器件的可靠性造成不利影响。
应力超过最大绝对额定值会引起器件的永久性损伤。这些器件在这些条件或其他任何超过本文档操作部分给定值的条件下,都无法正常运行。
过长时间处于最大绝对额定值会对器件的可靠性造成不利影响。
热特性 (1)
参数
符号
数值
单位
最大的 LED 结温
Tjmax.
125
°C
最大输出晶粒结温
Tjmax.
125
°C
结发射极至电路板的热阻
qJEB
150
°C/W
结发射极至外壳的热阻
qJEC
139
TA
θCA
Package
TC
°C/W
θDE
TJD
结探测器至电路板的热阻
qJDB
78
°C/W
结探测器至外壳的热阻
qJDC
103
°C/W
结发射极至结探测器的热阻
qJED
496
°C/W
壳至环境的热阻
qCA
3563
°C/W
θEC
θDC
TJE
θDB
θEB
TB
θBA
19996
TA
注释
(1)
右边的热性能图形描绘了该热模型。该模型的每个热阻值可用于计算每个结点在给定工作条件下的温度。电路板至周围环境的热阻取决于 PCB
的类型和铜质蚀刻电路的版图和厚度。有关该热模型的详细说明,请参考 Vishay 光电耦合器热特性应用说明。
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VO3052, VO3053
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
Vishay Semiconductors
电气特性 (Tamb = 25°C,除非另外说明 )
参数
输入
测试条件
部件
符号
最小值
典型值
最大值
单位
反向电流
VR = 6 V
IR
10
µA
正向电压
输出
IF = 30 mA
VF
1.2
1.5
V
VDRM = 600 V
IDRM
10
500
nA
VD = 400 V
dV/dtcr
LED 关断漏电流
(任一方向)
断态电压升高率临界值
耦合器
LED 触发电流、
栓锁输出所需的电流
峰值通态电压 (任一方向)
1500
2000
V/µs
VO3053
IFT
5
mA
VO3052
IFT
10
mA
3
V
ITM = 100 mA peak,
IF = rated IFT
VTM
1.7
IH
200
µA
10 KHz
CIO
0.4
pF
保持电流 (任一方向)
耦合电容
注释
典型值是该器件的特性,也是工程评估的结果。典型值仅供参考,不属于测试要求范围。
•
安全与隔离额定值 (1)
参数
测试条件
气候类别
符号
最小值
IEC68 第一部分
DIN VDE 0109
污染度
典型值
55/100/21
最大值
单位
2
起痕电阻 ( 相比漏电起痕指数 )
隔离组 Illa
CTI
175
允许的最高过压
瞬态过压
VIOTM
8000
Vpeak
VIORM
890
Vpeak
隔离电阻 (25°C)
重复的峰值
电压
VIO = 500 V
RIO
1012
W
隔离电阻 (100°C)
VIO = 500 V
RIO
1011
W
局部放电测试电压
方法 a
Vpd = VIORM x 1.875
Vpd
1669
Vpeak
输出功率
PSO
500
mW
输入电流
ISI
250
mA
外壳温度
TSI
175
°C
最大工作隔离电压
安全限值 - 故障条件下允许
的最大值
最小的外部空气间隙 (间隙)
从输入端子到输出
端子进行测量:
通过空气的
最短距离
7
mm
最小的外部起痕 (爬电)
从输入端子到输出
端子进行测量,
沿着器件的
最短距离路径
7
mm
最小外部空气间隙 (间隙)
从输入端子到输出
端子进行测量,
通过空气的
最短距离
8
mm
最小外部起痕 (爬电)
从输入端子到输出
端子进行测量,
沿着器件的
最短距离路径
8
mm
注释
(1)
根据 IEC60747-5-5, 7.4.3.8.1 规定,该光电耦合器仅适用于在安全额定值范围内的 “ 安全电气隔离 ”。应采用各种保护电路确保符合安全额定
值要求。
典型特性 (Tamb= 25°C,除非另作说明 )
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VO3052, VO3053
Vishay Semiconductors
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
1.4
1.5
1.2
1.3
1.1
0.9
25 °C
1.0
Normalized IFT
Forward LED Voltage (V)
- 40 °C
85 °C
0.8
0.6
0.4
0.7
0.2
0.0
- 40
0.5
1
10
100
图 1 - 正向电压 VS 正向电流
100
60
图 4 - 标准化触发电流 vs 温度
1000
Turn-on Time (µs)
100
IIkg (nA)
100
10
1
- 40 - 20
20337
10
1
0
20
40
60
80
100
5
7
9
11
13
15
LED Current (mA)
20341
Temperature (°C)
图 2 - 断态漏电流 VS 温度
图 5 - 通态时间 vs LED 电流
100
2.0
80
1.8
60
1.6
40
Normalized Ih
On-State Current ITM (mA)
10
Temperature (°C)
20340
Forward LED Current (mA)
20335
20
0
- 20
- 40
1.4
1.2
1.0
0.8
- 60
0.6
- 80
0.4
- 100
- 2 - 1.5 - 1 - 0.5
20338
0
0.5
1
On-State Voltage VTM (V)
图 3 - 通态电流 vs, VTM
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4
1.5
- 40 - 20
2
20342
0
20
40
60
80
100
Temperature (°C)
图 6 - 标准化保持电流 vs 温度
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VO3052, VO3053
25
5.0
20
4.8
15
4.6
IFT (mA)
Turn-on Time (µs)
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
10
20339
4.4
4.2
5
0
- 40
Vishay Semiconductors
4.0
- 20
0
20
40
60
80
30
100
Temperature (°C)
45
60
20343
75
90
100
Pulse Width (µs)
图 7 - 通态时间 vs 温度
图 8 - 触发电流 vs 脉宽
封装尺寸 ( 单位:毫米 )
3
2
1
4
5
6
Pin one ID
6.30
6.50
ISO method A
8.50
8.70
7.62 typ.
1.22
1.32
1 min.
3.30
3.81
4° typ.
18°
0.84 typ.
0.46
0.51
3.30
3.81
3° to 9°
0.20
0.30
0.84 typ.
7.62 to 8.81
2.54 typ.
i178014
Option 6
Option 7
Option 9
7.62 typ.
7.62 typ.
10.3 max.
7.62 typ.
3.5 ± 0.3
0.7 min.
4.3 ± 0.3
0.1 ± 0.1
3.6 ± 0.3
0.1 min.
8 min.
2.55 ± 0.25
0.6 min.
10.3 max.
0.6 min.
8 min.
10.16 typ.
0.76
2.54
R 0.25
0.76
R 0.25
2.54
1.78
20802-24
Document Number: 82377
Rev. 2.0, 11-Jul-12
8 min.
11.05
1.52
1.78
8 min.
11.05
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5
VO3052, VO3053
Vishay Semiconductors
光耦合器:非过零光敏器件、 1.5kV/μs 电压变化率、 600V
Optocoupler, Non-Zero Crossing Phototriac, 1.5kV/μs dV/dt, 600V
封装标识
Customer code/
identification/
option
XXXXX
XXXXX
Product code
V
D E
VDE logo
UL logo
V XXXY 68
Plant code
Package code
Vishay logo
17936-1
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6
Date code (year, week)
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项规定。
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符合 Directive 2011/65/EU。
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参照 IEC 61249-2-21 的定义。我们确认所有标注符合 IEC 61249-2-21 的产品均符合 JEDEC JS709A 标准。
Revision: 02-Oct-12
1
Document Number: 99905