VO4254, VO4256 Vishay Semiconductors 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current 特性 A 1 6 MT2 C 2 5 NC • 高静态电压变化率：5kV/μs • 高输入灵敏度：IFT = 1.6mA、 2mA 和 3mA • 400V 和 600V 阻断电压 • 300mA 通态电流 4 MT1 NC 3 • 隔离测试电压 5300VRMS i179035_3 V D E 21842-1 • 符合 RoHS 指令 2011/65/EU 规定 应用 说明 • 固态继电器 VO4254 和 VO4256 光敏可控硅器件配有一个 GaAs 红外 LED，与采用 DIP-6 封装的非过零光敏 TRIAC 进行光耦合。 • 工业控制装置 • 办公设备 高输入灵敏度是通过使用射极跟随器光电晶体管和级联的 SCR 预驱动器实现的，使 D 管脚、 H 管脚和 M 管脚的 LED 触发电流分别达到 1.6 mA、 2 mA 和 3 mA。 • 消费类电子产品 机构认证 这种全新的非过零光敏可控硅系列采用专有的 dV/dt 钳位，静 态电压变化率高于 5 kV/μs。VO4254 和 VO4256 光敏可控硅 器件将低压逻辑器件与 120 VAC、240 VAC 和 380 VAC 线路隔 离开来，对电机、电磁阀、高电流晶闸管或 TRIAC 和继电器 的电阻、电感或电容负载进行控制。 • UL1577 认证：文件编号：E52744，系统代码 H 或 J，双 重保护 • cUL 认证：文件编号：E52744，相当于 CSA 公告 5A • DIN EN 60747-5-5 (VDE 0884) 认证 ( 选项 1) • FIMKO: FI25250 订购信息 V O 4 2 5 # X - X 0 部件编号 0 # 封装选项 T 编带与 卷轴 DIP-6 Option 6 7.62 mm 10.16 mm Option 7 > 0.7 mm VDRM 400 机构认证 / 包装 UL, cUL, FIMKO 1.6 DIP-6 2 VDRM 600 触发电流 , IFT (mA) 3 1.6 2 3 VO4254D VO4254H VO4254M VO4256D VO4256H VO4256M DIP-6、400 毫米、选项 6 VO4254D-X006 VO4254H-X006 VO4254M-X006 VO4256D-X006 VO4256H-X006 VO4256M-X006 SMD-6、选项 7 UL, cUL, FIMKO, VDE VO4254D-X007T VO4254H-X007T VO4254M-X007T DIP-6 Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 VO4256D-X007T VO4256H-X007T VO4256M-X007T 1.6 2 3 1.6 2 3 - - - VO4256D-X001 - - For technical questions, contact: [email protected] 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 www.vishay.com 1 VO4254, VO4256 Vishay Semiconductors 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current 最大绝对额定值 (1)(Tamb=25°C，除非另外说明 ) 参数 输入 测试条件 部件 符号 数值 单位 反向电压 VR 6 V 正向电流 IF 60 mA 功率耗散 Pdiss 从 25°C 进行降额 输出 100 mW 1.33 mW/°C VO4254D/H/M VDRM 400 V VO4256D/H/M VDRM 600 V ITM 300 mA Pdiss 500 mW 6.6 mW/°C VISO 5300 VRMS 存放温度范围 Tstg - 55 to + 150 °C 环境温度范围 Tamb - 55 to + 100 °C Tsld 260 °C 峰值断态电压 RMS 通态电流 功率耗散 从 25°C 进行降额 耦合器 隔离测试电压 ( 发射极与探测器之间、 气候条件符合 DIN 500414 第二部分规 定、 74 年 11 月 ) t=1s 浸焊时间最大 ≤ 10 秒 从外壳底部的浸入深度 ≥ 0.5mm 焊接温度 (2) 注释 (1) (2) 应力超过最大绝对额定值会引起器件的永久性损伤。这些器件在这些条件或其他任何超过本文档操作部分给定值的条件下，都无法正常运行。 过长时间处于最大绝对额定值会对器件的可靠性造成不利影响。 参考表面贴装器件 (SMD) 的焊接条件的回流焊温度曲线。参考通孔器件 (DIP) 焊接条件的波峰焊温度曲线。 350 IL - Load Current (mA) 300 250 IF = 3 mA to 10 mA 200 150 100 50 0 - 40 - 20 19623 0 20 40 60 80 100 Tamb - Temperature (°C) 图 1 - 建议的运行条件 www.vishay.com 2 For technical questions, contact: [email protected] Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 VO4254, VO4256 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current Vishay Semiconductors 热特性 参数 符号 数值 单位 LED 功耗 Pdiss 100 mW 输出功耗 Pdiss 500 mW 最大 LED 结温 Tjmax. 125 °C 最大输出晶粒结温 Tjmax. 125 °C 结发射极至电路板的热阻 θJEB 150 °C/W 结发射极至外壳的热阻 θJEC 139 °C/W 结探测器至电路板的热阻 θJDB 78 °C/W 结探测器至外壳的热阻 θJDC 103 °C/W 结发射极至结探测器的热阻 θJED 496 °C/W 壳至环境的热阻 θCA 3563 °C/W TA θCA Package TC θEC θDC θDE TJD TJE θDB θEB TB θBA 19996 TA 注释 • 上表的热特性是在 25°C 条件下测得的，右边的热性能图形描绘了该热模型。该模型的每个热阻值可用于计算每个结点在给定工作条件下的温 度。电路板至周围环境的热阻取决于 PCB 的类型和铜质蚀刻电路的版图和厚度。有关该热模型的详细说明，请参考 Vishay 光电耦合器热特性 应用说明。 电气特性 (Tamb= 25°C，除非另外说明 ) 参数 输入 测试条件 部件 符号 最小值 典型值 最大值 单位 正向电压 IF = 10 mA VF 1.2 1.4 V 反向电流 VR = 6 V IR 0.1 10 µA 输入电容 VF = 0 V, f = 1 MHz CI 40 输出 重复峰值 断态电压 IDRM = 100 µA 断态电流 VD = VDRM IDRM 通态电压 IT = 300 mA VTM 3 V 通态电流 PF = 1, VT(RMS) = 1.7 V ITM 300 mA VD = 0.67 VDRM, TJ = 25 °C dV/dtcr 断态电压升高率 临界值 COUPLER LED 触发电流、 栓锁输出所需的电流 VD = 3 V VO4254D/H/M VDRM 400 VO4256D/H/M VDRM 600 电容 ( 输入至输出 ) V V 100 5000 µA V/µs VO4254D IFT 1.6 mA VO4254H IFT 2 mA mA VO4254M IFT 3 VO4256D IFT 1.6 mA VO4256H IFT 2 mA 3 mA VO4256M f = 1 MHz, VIO = 0 V pF IFT CIO 0.8 pF 注释 • 最小值和最大值必须经过测试。典型值是该器件的特性，也是工程评估的结果。典型值仅供参考，不属于测试要求范围。 Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 For technical questions, contact: [email protected] 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 www.vishay.com 3 VO4254, VO4256 Vishay Semiconductors 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current 安全与隔离额定值 参数 测试条件 符号 最小值 典型值 55/100/21 气候类别 ( 根据 IEC68 第一部分的规定 ) 污染度 (DIN VDE 0109) 最大值 单位 2 相比漏电起痕指数：DIN IEC112/VDE 0303 第一部分 /DIN VDE 6110 175 399(IIIa 组 ) 175 VIOTM VIOTM 8000 VIORM VIORM 890 399 V V PSO 500 mW ISI ISI 250 mA TSI TSI 175 PSO °C 爬电距离 7 mm 间隙距离 7 mm 典型特性 (Tamb = 25°C，除非另外说明 ) 1000 IDRM - Leakage Current (nA) 1.5 VF (V) 1.3 1.1 0 °C 25 °C 50 °C 0.9 100 10 IDRM at 630 V 0.7 0.1 1.0 100.0 10.0 IF (mA) 19660 1 - 60 - 40 - 20 19682 图 2 - 二极管正向电压 vs 正向电流 38 36 34 IR = 10 µA 32 - 60 - 40 - 20 0 20 40 60 Temperature (ºC) 图 3 - 二极管反向电压 vs 温度 ITM - On-State Current (mA) VR (V) 40 60 80 100 1000 40 www.vishay.com 4 20 图 4 - 漏电流 vs 环境温度 42 19662 0 TA - Ambient Temperature (°C) 100 0 °C 10 85 °C 1 80 100 19683 25 °C 0 1 IF = 2 mA 2 3 VTM - On-State Voltage (V) 图 5 - 通态电流 vs 通态电压 For technical questions, contact: [email protected] Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 VO4254, VO4256 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current 1.4 80 Output Leakage current (pA) Vishay Semiconductors 70 Normalized IH 60 50 40 30 25 °C 20 10 0 °C 400 800 600 Voltage (V) 19684 0.8 0.6 0.4 0.0 - 60 - 40 - 20 - 10 200 1.0 0.2 0 0 Normalized IH at 25 °C 1.2 85 °C 0 20 40 60 80 100 Temperature (ºC) 20014 图 9 - 标准化的 IH vs 温度 图 6 - 输出关断电流 ( 漏电 )vs 电压 1.8 10 Normalized IFT 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 Normalized IFT at 25 ºC 0.2 0.0 - 60 - 40 - 20 0 20 40 60 IFT - Trigger Current (mA) 1.6 80 100 6 85 ºC 100 ºC 4 2 - 40 ºC 25 ºC 0 10 Temperature (ºC) 19666 8 20015 图 7 - 标准化的触发输入电流 vs 温度 20 30 40 50 60 70 Trigger Pulse Width (µs) 图 10 - IFT vs LED 脉宽 3.5 3.0 IFT (mA) 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 10 100 1000 Turn-On Time (µs) 20013 图 8 - IFT vs 导通时间 ( 微秒 ) Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 For technical questions, contact: [email protected] 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 www.vishay.com 5 VO4254, VO4256 光耦合器：光敏输出、高电压变化率、低输出电流 Optocoupler, Phototriac Output, High dV/dt, Low Input Current Vishay Semiconductors 包装尺寸 ( 单位：毫米 ) 3 2 1 4 5 6 Pin one ID 6.30 6.50 ISO method A 8.50 8.70 7.62 typ. 1.22 1.32 1 min. 3.30 3.81 4° typ. 18° 3.30 3.81 0.84 typ. 0.46 0.51 3° to 9° 0.20 0.30 0.84 typ. 7.62 to 8.81 2.54 typ. i178014 Option 6 Option 7 7.62 typ. 7.62 typ. 0.7 min. 3.5 ± 0.3 4.3 ± 0.3 0.1 min. 8 min. 2.55 ± 0.25 0.6 min. 10.3 max. 0.76 2.54 10.16 typ. 20802-18 1.52 8 min. 11.05 1.78 R 0.25 封装标识 VO4254 X017 V YWW H 68 www.vishay.com 6 For technical questions, contact: [email protected] Document Number: 82372 Rev. 1.7, 13-Apr-12 本文如有变更，恕不另行通知。本文及本文所述产品附带具体免责声明，详情请参见 www.vishay.com/doc?99905。 Legal Disclaimer Notice www.vishay.com Vishay 免责声明 所有产品、产品技术规格及数据如因改进可靠性、功能、设计或其他原因发生变更，恕不另行通知。 对于任何产品相关数据手册或公布的其他资料中出现的任何错误、不准确或不完整问题， Vishay Intertechnology Inc. 及其子公 司、代理和员工以及代表公司的所有个人 ( 统称为 “Vishay”)，不承担任何及全部责任。 Vishay 对产品特定用途的适用性或任何产品的连续生产不做担保、陈述或保证。在可适用法律允许的最大程度上， Vishay 不承 担 (i) 因应用或使用任何产品产生的任何及全部责任，(ii) 包括但不限于特定、连带或附带损害产生的任何及全部责任，及 (iii) 不做任何形式默示担保，包括不保证特定用途的适用性、非侵权及适销性。 关于产品适用于某类应用的声明以 Vishay 掌握的 Vishay 产品一般应用环境下的典型要求为准。此类声明与产品特定应用的适用 性声明不存在任何关联。客户自行负责根据产品技术规格的说明认证特定产品是否适用于特定的应用。数据手册和 / 或技术规格 中提供的参数可能因不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有工作参数，包括典型参数，必须由客户的技术专家根据 每一个客户应用环境确认。产品技术规格不扩展或不以其他方式修改 Vishay 的采购条款与条件，包括但不限于规定的质保条件。 除非书面注明，否则 Vishay 产品不用于医疗、救护或生命维持，或其他因 Vishay 产品发生故障有可能导致人身伤亡的应用场 合。客户使用或销售未明确指示可在上述应用中使用的 Vishay 产品风险自负。如欲获得有关指定用于上述应用的产品的书面条 款及条件，请与 Vishay 授权人员联系。 本文档或任何 Vishay 的行为不以禁止反言或其他方式授予任何知识产权的许可，无论明示还是暗示。本文提到的产品名称和标识 可能为各自所有者的商标。 材料种类政策 Vishay Intertechnology, Inc. 特此证实其所有经认定符合 RoHS 的产品均达到欧洲议会及欧盟在 2011 年 6 月 8 日重新修订的 关于在电气和电子设备 (EEE) 中限制使用有害物质 Directive 2011/65/EU 所制定的各项定义和限制。除非特别注明不符合这两 项规定。 请注意，一些 Vishay 文档可能还参照 RoHS Directive 2002/95/EC。我们确认所有经认定符合 Directive 2002/95/EC 的产品都 符合 Directive 2011/65/EU。 Vishay 特此证实其所有通过无卤素认证的产品均遵守 JEDEC JS709A 标准的无卤素要求。请注意，一些 Vishay 文档可能还在 参照 IEC 61249-2-21 的定义。我们确认所有标注符合 IEC 61249-2-21 的产品均符合 JEDEC JS709A 标准。 Revision: 02-Oct-12 1 Document Number: 99905