elm18810ba

デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン）
ELM18810BA-S
■概要
■特長
ELM18810BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=20V
・ Id=7A (Vgs=4.5V)
MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性が
あります。
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=1.8V)
・ ESD Rating : 2000V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Id
7.0
5.7
A
1
Idm
30
A
2
W
1
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
±8
V
Tj, Tstg
1.5
1.0
-55 ～ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
TSSOP-8(TOP VIEW)
Typ.
Max.
単位
64
83
℃/W
89
53
120
70
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
端子番号
端子記号
1
DRAIN1/DRAIN2
2
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN1/DRAIN2
4-1
D2
D1
G2
G1
S1
S2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン）
ELM18810BA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vgs=4.5V, Id=7A
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Gfs
Vsd
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
V
Vds=16V, Vgs=0V
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±4.5V
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
20
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=5.5A
Vgs=1.8V, Id=5A
Vds=5V, Id=7A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A
Vgs=5V, Vds=10V
RL=1.35Ω, Rgen=3Ω
If=7A, dlf/dt=100A/μs
If=7A, dlf/dt=100A/μs
0.4
30
0.6
16.5
23.0
20.0
24.0
29
0.76
1
5
±1
±10
1.0
μA
μA
μA
V
A
20.0
28.0
mΩ
24.0
32.0
S
1.00
V
2.5
A
1160
187
146
1.5
pF
pF
pF
Ω
16.0
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16.0
17.7
6.7
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン）
ELM18810BA-S
■標準特性と熱特性曲線
30
20
8V
Vgs=5V
Vgs =2V
15
20
Id(A)
Id(A)
Vgs =1.5V
10
10
Vgs =1V
25°C
0
0
1
2
3
125°C
5
4
0
5
0.0
Vds(Volts)
50
1.5
2.0
2.5
1.6
Normalize ON-Resistance
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristi cs
40
Vgs =1.8V
30
Vgs =2.5V
20
Vgs =4.5V
10
0
5
10
15
Id=6.5A
1.4
Vgs=1.8V
Vgs=2.5V
Vgs=4.5V
1.2
1.0
0.8
20
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
60
1E+01
Id=6.5A
1E+00
50
125°C
1E-01
40
Is(A)
Rds(on)(m� )
0.5
125°C
30
1E-02
1E-03
20
1E-04
25°C
25°C
1E-05
10
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン）
ELM18810BA-S
2000
5
Vds=10V
Id=7A
1600
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
4
Ciss
1200
3
2
800
Crss
400
1
0
0
0
5
10
15
0
20
100.0
100�s
10�s
1ms
0.1s
10ms
20
20
10
1s
10s
DC
0.1
0.1
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
Power (W)
Rds(on)
limited
1.0
10
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10.0
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Coss
1
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000