elm18822ba

デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18822BA-S
■概要
■特長
ELM18822BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=7A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 21mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
Vgs
±12
V
Id
7.0
5.7
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
30
1.50
0.96
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
63
101
83
130
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
64
83
℃/W
3
■端子配列図
TSSOP-8(TOP VIEW)
■回路
端子番号
端子記号
1
2
DRAIN1/DRAIN2
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN1/DRAIN2
4-1
D2
D1
G2
G1
S1
S2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18822BA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート - ソース降伏電圧
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Igss
BVgso
Vgs(th)
Id(on)
Vds=16V, Vgs=0V
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
20
Ta=125℃
Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6.6A
Vgs=2.5V, Id=5.5A
Vgs=1.8V, Id=2A
Gfs Vds=5V, Id=7A
Vsd Is=1A, Vgs=0V
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
V
1
5
100
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±10V
Vds=0V, Ig=±250μA
Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=7A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A
Vgs=5V, Vds=10V
RL=1.4Ω, Rgen=3Ω
If=7A, dlf/dt=100A/μs
If=7A, dlf/dt=100A/μs
±12
0.5
30
0.8
16.4
23.0
19.0
25.0
36.0
24
0.7
1.0
μA
nA
V
V
A
21.0
28.0
24.0 mΩ
32.0
50.0
S
1.0
V
2.5
A
630
164
137
1.5
pF
pF
pF
Ω
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
15.2
6.3
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18822BA-S
■標準特性と熱特性曲線
30
20
10V
3V
Vgs=5V
Vgs =2V
4V
15
Id(A)
Id(A)
20
10
Vgs =1.5V
10
125°C
5
25°C
0
0
1
2
3
4
0
5
0.0
Vds(Volts)
50
Normalize ON-Resistance
1.6
40
Rds(on)(m� )
1.0
Vgs =2.5V
Vgs =1.8V
30
Vgs =4.5V
20
Vgs =10V
10
0
0
5
10
15
1.5
2.0
2.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Figure 1: On-Regions Characteristi cs
Vgs=1.8V
Id=2A
1.4
Vgs=4.5V
Vgs=2.5V
Id=5.5A
Id=6.6A
1.2
Vgs=10V
Id=7A
1.0
0.8
20
0
Id(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
100
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
80
1E+01
Id=7A
70
1E+00
60
125°C
1E-01
50
125°C
Is(A)
Rds(on)(m� )
0.5
40
1E-02
1E-03
30
20
1E-04
25°C
25°C
1E-05
10
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン)
ELM18822BA-S
1400
5
Vds=10V
1000
Capacitance (pF)
Vgs(Volts)
1200
Id=7A
4
3
2
1
Ciss
800
600
Crss
400
200
0
0
0
2
4
6
8
0
10
10�s
15
20
100�s
1ms
1
10s
1s
0.1
1
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
20
10
10ms
100m
DC
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
Power (W)
Rds(on)
limited
0.1
10
40
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
0.01
10
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Id (Amps)
100
5
Vds(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10
Coss
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=83°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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