デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン） ELM18822BA-S ■概要 ■特長 ELM18822BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=7A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 21mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V Vgs ±12 V Id 7.0 5.7 A 1 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 30 1.50 0.96 Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t≦10s 定常状態 Rθja 63 101 83 130 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 64 83 ℃/W 3 ■端子配列図 TSSOP-8(TOP VIEW) ■回路 端子番号 端子記号 1 2 DRAIN1/DRAIN2 SOURCE1 3 4 5 SOURCE1 GATE1 GATE2 6 7 8 SOURCE2 SOURCE2 DRAIN1/DRAIN2 4-1 D2 D1 G2 G1 S1 S2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン） ELM18822BA-S ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 ゲート - ソース降伏電圧 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 記号 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Igss BVgso Vgs(th) Id(on) Vds=16V, Vgs=0V 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 20 Ta=125℃ Rds(on) Vgs=4.5V, Id=6.6A Vgs=2.5V, Id=5.5A Vgs=1.8V, Id=2A Gfs Vds=5V, Id=7A Vsd Is=1A, Vgs=0V Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr V 1 5 100 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±10V Vds=0V, Ig=±250μA Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=7A ドレイン - ソースオン状態抵抗 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=7A Vgs=5V, Vds=10V RL=1.4Ω, Rgen=3Ω If=7A, dlf/dt=100A/μs If=7A, dlf/dt=100A/μs ±12 0.5 30 0.8 16.4 23.0 19.0 25.0 36.0 24 0.7 1.0 μA nA V V A 21.0 28.0 24.0 mΩ 32.0 50.0 S 1.0 V 2.5 A 630 164 137 1.5 pF pF pF Ω 9.3 0.6 3.6 5.7 11.5 31.5 9.7 15.2 6.3 nC nC nC ns ns ns ns ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン） ELM18822BA-S ■標準特性と熱特性曲線 30 20 10V 3V Vgs=5V Vgs =2V 4V 15 Id(A) Id(A) 20 10 Vgs =1.5V 10 125°C 5 25°C 0 0 1 2 3 4 0 5 0.0 Vds(Volts) 50 Normalize ON-Resistance 1.6 40 Rds(on)(m� ) 1.0 Vgs =2.5V Vgs =1.8V 30 Vgs =4.5V 20 Vgs =10V 10 0 0 5 10 15 1.5 2.0 2.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Figure 1: On-Regions Characteristi cs Vgs=1.8V Id=2A 1.4 Vgs=4.5V Vgs=2.5V Id=5.5A Id=6.6A 1.2 Vgs=10V Id=7A 1.0 0.8 20 0 Id(A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 100 150 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 80 1E+01 Id=7A 70 1E+00 60 125°C 1E-01 50 125°C Is(A) Rds(on)(m� ) 0.5 40 1E-02 1E-03 30 20 1E-04 25°C 25°C 1E-05 10 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd(Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs(Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ( コモンドレイン） ELM18822BA-S 1400 5 Vds=10V 1000 Capacitance (pF) Vgs(Volts) 1200 Id=7A 4 3 2 1 Ciss 800 600 Crss 400 200 0 0 0 2 4 6 8 0 10 10�s 15 20 100�s 1ms 1 10s 1s 0.1 1 10 Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 20 10 10ms 100m DC Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 Power (W) Rds(on) limited 0.1 10 40 Tj(max)=150°C, Ta=25°C 0 0.001 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) 100 0.01 10 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance Id (Amps) 100 5 Vds(Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10 Coss 1 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=83°C/W In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000