elm341503a

デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き
ELM341503A-N
■概要
■特長
ELM341503A-N は低入力容
Q2
Q1
量、 低電圧駆動、 低オン抵抗と
• Vds=30V
• Vds=30V
いう特性を備えた大電流デュア
• Id=9A(Vgs=10V)
• Rds(on)<15.8mΩ(Vgs=10V)
• Id=8A(Vgs=10V)
• Rds(on)<21.0mΩ(Vgs=10V)
ルパワー MOSFET です。
• Rds(on)<20.0mΩ(Vgs=4.5V) • Rds(on)<32.0mΩ(Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
特に指定なき場合、 Ta=25℃
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25°C
Ta=70°C
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
逆電流
順方向電圧
L=0.1mH
Vr=25V
If=1A
Tc=25°C
最大許容損失
Tc=70°C
接続温度範囲及び保存温度範囲
規格値
Q1
ショットキー
30
単位
Vds
Q2
30
Vgs
±20
±20
V
Id
9
7
8
6
A
Idm
Ias
Eas
35
29
43
30
21
23
A
A
mJ
Ir
Vf
0.05
0.45
2.0
Pd
V
1
mA
V
W
1.28
Tj, Tstg
備考
-55 ~ 150
°C
備考 : 1. パルス幅は最大接合温度によって制限されています。
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Typ.
Rθja
■端子配列図
単位
62.5
°C/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
Max.
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
DRAIN1
DRAIN1
3
4
5
GATE2
SOURCE2
DRAIN2/SOURCE1
6
7
DRAIN2/SOURCE1
DRAIN2/SOURCE1
8
GATE1
7- 1
1
2
8
Q1
3
4
7
6
Q2
5
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き
ELM341503A-N
■電気的特性 (Q2)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=10V)
総ゲート電荷 (Vgs=4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Vsd
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125°C
10
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=9A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=7A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=10V, Id=9A
ダイオード順方向電圧
30
±100 nA
1.0
35
1.7
14.2 20.0
25
If=9A, Vgs=0V
Rg
N-Channel
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=9A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
7- 2
3.0
10.5 15.8
Is
Ciss
Coss
Crss
μA
V
A
1
mΩ 1
S
1
0.7
V
1
2.8
A
1040
295
139
pF
pF
pF
1.5
Ω
20.0
nC
2
9.0
nC
2
3.5
3.5
nC
nC
2
2
18
12
40
ns
ns
ns
2
2
2
8
ns
2
15
6
ns
nC
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
デュアルパワー
N チャンネル
MOSFET
NIKO-SEM
Effect
Transistor ショットキーダイオード付き
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
ELM341503A-N
■標準特性曲線
(Q2)
Typical Characteristics:
Q2
Output Characteristics
VGS = 4.5V
15
VGS = 3V
10
5
0
0
RDS(ON) ╳
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS = 10V
20
0.5
1.5
2.0
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
RDS(ON) ╳
1.6
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.6
10
TJ=125°C
TJ=25°C
5
TJ=-20°C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
4.0
Capacitance Characteristic
1.50E+03
Ciss
V GS=10V
ID=9A
-25
0
25
50
75
100
9.00E+02
6.00E+02
Coss
3.00E+02
Crss
0.00E+00
0.4
TJ , Junction Temperature(˚C)
0
125 150
5
10
25
20
15
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
15
1.20E+03
-50
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+03
1.0E+02
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
2.5
2.0
1.8
20
0
0.0
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
RDS(ON) ╳
1.0
Transfer Characteristics
25
C , Capacitance(pF)
ID, Drain-To-Source Current(A)
25
ID=9A
V DS=15V
6
4
2
1.0E+01
1.0E+00
T J =150° C
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
0
1.0E-04
0
4
8
12
Qg , Total Gate Charge
16
0.1
20
REV 0.9
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Oct-28-2009
4
7- 3
0.7
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
ELM341503A-N
NIKO-SEM
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
Operation in This
Area is Lim ited by
RDS(ON)
90
↓
10
ID , Drain Current(A)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
80
100us
1
1m s
10m s
100m s
0.1
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
TA=25° C
70
Power(W)
100
NOTE :
1.V GS = 10V
2.T A=25° C
3.RθJA = 62.5° C/W
4.Single Pulse
60
50
40
30
1S
10S
DC
20
10
0
0.01
1
0.1
10
0.0001
100
0.001
0.01
1
0.1
10
Single Pulse Time(s)
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
1.00E+01
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
Note
0.2
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.Duty cycle, D= t1 / t2
o
2.RthJA = 62.5 C/W
3.TJ-TA = P*RthJC(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
Oct-28-2009
5
7- 4
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き
ELM341503A-N
■電気的特性 (Q1)
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=10V)
総ゲート電荷 (Vgs=4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Vsd
V
Vds=24V, Vgs=0V
-1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=125°C
-10
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=9A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=6A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=10V, Id=7A
ダイオード順方向電圧
30
±100 nA
1.0
30
2.0
Rg
25.6 32.0
15
If=7A, Vgs=0V
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
1
mΩ 1
S
1
1.0
V
1
2.0
A
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
pF
pF
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
2.0
Ω
11.0
nC
2
5.5
nC
2
2.5
2.5
nC
nC
2
2
19
8
39
ns
ns
ns
2
2
2
6
ns
2
20
12
ns
nC
Vgs=10V, Vds=15V, Id=9A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) Id=1A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
V
A
560
160
84
Qg
Qgs
Qgd
3.0
15.8 21.0
Is
Ciss
Coss
Crss
μA
If=7A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
7- 5
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
デュアルパワー
N チャンネル
MOSFET
NIKO-SEM
Effect
Transistor ショットキーダイオード付き
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
ELM341503A-N
■標準特性曲線
(Q1)
Typical Characteristics:
Q1
Output Characteristics
15
VGS = 3V
10
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
RDS(ON) ╳
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
ID, Drain-To-Source Current(A)
VGS = 4.5V
20
2.5
RDS(ON) ╳
1.6
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.6
RDS(ON) ╳
0.4
15
10
TJ=125°C
TJ=25°C
5
TJ=-20°C
0.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
Capacitance Characteristic
V GS=10V
ID=7A
6.00E+02
Ciss
4.00E+02
2.00E+02
Coss
Crss
0.00E+00
-25
0
25
50
75
100
125 150
15
10
5
0
TJ , Junction Temperature(˚C)
25
20
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Characteristics
Source-Drain Diode Forward Voltage
1.0E+03
1.0E+02
8
ID =9A
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
1.5
8.00E+02
-50
10
1.0
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
1.00E+03
2.0
1.8
20
0
0.0
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
Transfer Characteristics
25
VGS = 10V
C , Capacitance(pF)
ID, Drain-To-Source Current(A)
25
V DS=15V
6
4
2
1.0E+01
1.0E+00
T J =150° C
1.0E-01
T J =25° C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
0
0
3
6
9
12
0.0
15
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge
REV 0.9
Oct-28-2009
6
7- 6
1.2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET ショットキーダイオード付き
Dual N-Channel Enhancement Mode Field
PD1503YVS
ELM341503A-N
NIKO-SEM
Effect Transistor
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
100
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
90
80
↓
100us
1
1ms
10ms
60
50
40
100ms
0.01
20
10
0
1
0.1
30
1S
10S
DC
NOTE :
NOTE=:10V
1.V
GS
1.V GS
= 10V
2.T
A=25° C
2.T=25°
C
3.RθJA = 62.5°
C/W
3.RθJA = 3.5°
4.Single
Pulse
C/W
0.1
10
100
0.0001
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Transient Thermal Resistance
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
r(t) , Normalized Effective
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
T A=25° C
70
Power(W)
10
ID , Drain Current(A)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
Note
0.2
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.Duty cycle, D= t1 / t2
o
2.RthJA = 62.5 C/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
Oct-28-2009
7
7- 7
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