デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14806AA-N ■概要 ■特長 ELM14806AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=9.4A (Vgs=10V) また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 14mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 15mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 21mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=1.8V) ・ ESD Rating : 2000V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 Id 9.4 7.5 A 1 Idm 40 A 2 Pd 2.00 1.28 W Tj, Tstg -55 ～ 150 ℃ パルス ・ ドレイン電流 Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V ±12 V ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t≦10s 定常状態 Rθja 45.0 72.0 62.5 110.0 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 34.0 40.0 ℃/W 3 ■端子配列図 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 端子記号 SOURCE2 2 3 GATE2 SOURCE1 4 GATE1 5 6 7 DRAIN1 DRAIN1 DRAIN2 8 DRAIN2 4-1 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14806AA-N ■電気的特性 項目 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 ゲート漏れ電流 ゲート - ソース降伏電圧 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 記号 条件 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss Igss BVgso Vgs(th) Id(on) Vds=16V, Vgs=0V 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 20 Ta=125℃ Rds(on) Vgs=4.5V, Id=8A Vgs=2.5V, Id=6A Vgs=1.8V, Id=4A Gfs Vds=5V, Id=9.4A Vsd Is=1A Is Ciss Coss Crss Rg Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf trr Qrr V 10 25 ±10 Ta=55℃ Vds=0V, Vgs=±10V Vds=0V, Ig=±250μA Vds=Vgs, Id=250μA Vgs=4.5V, Vds=5V Vgs=10V, Id=9.4A ドレイン - ソースオン状態抵抗 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=9.4A Vgs=10V, Vds=10V RL=1.1Ω, Rgen=3Ω If=9.4A, dlf/dt=100A/μs If=9.4A, dlf/dt=100A/μs ±12 0.50 30 μA μA V V A 0.75 1.00 11.0 14.3 12.6 16.5 23.4 37 0.72 14.0 17.0 16.0 mΩ 22.0 30.0 S 1.00 V 3 A 1810 232 200 1.6 pF pF pF Ω 17.9 1.5 4.7 3.3 5.9 44.0 7.7 22.0 8.6 nC nC nC ns ns ns ns ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14806AA-N ■標準特性と熱特性曲線 40 10V 20 4.5V 2.5V 2V Id (A) Id (A) Vds=5V 16 30 20 12 8 10 125°C 4 Vgs=1.5V 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=1.8V 30 Vgs=2.5V 20 Vgs=4.5V 10 Vgs=10V 0 Vgs=2.5V,6A Vgs=4.5V, 8A 1.4 Vgs=1.8V, 4A 1.2 Vgs=10V, 9.4A 1 0.8 0 5 10 15 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 40 1.0E+01 1.0E+00 30 125°C Id=6A 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m� ) 3 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 40 1 125°C 20 25°C 1.0E-03 25°C 10 1.0E-02 1.0E-04 0 0 2 4 6 8 1.0E-05 10 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 1.2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14806AA-N 5 2400 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 2800 Vds=10V Id=9.4A 3 2 1 2000 Ciss 1600 1200 800 Coss Crss 400 0 0 4 8 12 16 0 20 0 5 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 10 100.0 40 1ms 100�s 30 Power (W) Id (Amps) 10.0 10ms 0.1s 1.0 1s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0.1 DC 1 10 0 0.001 100 Vds (Volts) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 20 10 10s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Rds(on) limited 15 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000