elm14812aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14812AA-N
■概要
■特長
ELM14812AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=6.9A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
V
A
1
30
2.00
A
2
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
最大許容損失
±20
6.9
5.8
Pd
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
W
1.44
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
48.0
74.0
62.5
110.0
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
35.0
40.0
℃/W
3
■端子配列図
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
SOURCE2
2
3
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14812AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
0.004 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
20
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Id=6.9A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=6.9A
Is=1A
V
10.0
1.9
100
nA
3.0
V
A
22.5
31.3
28.0
38.0 mΩ
34.5
15.4
0.76
42.0
Is
680
1.00
S
V
3
A
820
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
102
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
77
3.0
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A
3.6
13.84 17.00 nC
6.74 8.10 nC
1.82
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.20
4.6
4.1
7.0
6.2
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
20.6
5.2
16.5
30.0
7.5
20.0
ns
ns
ns
7.8
10.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=6.9A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14812AA-N
■標準特性と熱特性曲線
10V
25
20
6V
5V
4.5V
Id (A)
20
15
3.5V
10
12
8
125°C
4
Vgs=3V
5
Vds=5V
16
4V
Id (A)
30
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
1.6
Normalized On-Resistance
60
50
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=4.5V
40
30
20
Vgs=10V
1.5
Vgs=10V
Id=5A
1.4
Vgs=4.5V
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
10
0
5
10
15
0
20
50
100
150
200
Temperature ( °C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Id (Amps)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.0E+01
70
60
1.0E+00
Id=5A
50
Is Amps
Rds(on) (m� )
1
125°C
40
1.0E-01
1.0E-02
125°C
1.0E-03
30
25°C
20
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
10
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body diode characteristics
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14812AA-N
10
f=1MHz
Vgs=0V
900
800
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
1000
Vds=15V
Id=6.9A
6
4
2
700
Ciss
600
500
400
300
200
Coss
100
0
0
2
4
6
8
10
12
Crss
0
14
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge characteristics
100
10ms
1s
DC
0.1
1
10
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
30
20
0
0.001
100
Vds (Volts)
10
25
10
10s
0.1
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
30
10�s
0.1s
1
15
40
Power W
Id (Amps)
100�s
1ms
10
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
Pd
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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