デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14812AA-N ■概要 ■特長 ELM14812AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=6.9A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 V A 1 30 2.00 A 2 Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 ±20 6.9 5.8 Pd Tc=70℃ 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg W 1.44 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 備考 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 t≦10s 定常状態 Rθja 48.0 74.0 62.5 110.0 ℃/W ℃/W 1 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl 35.0 40.0 ℃/W 3 ■端子配列図 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 SOURCE2 2 3 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14812AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 0.004 1.000 μA 5.000 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 20 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Id=6.9A Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5A Vds=5V, Id=6.9A Is=1A V 10.0 1.9 100 nA 3.0 V A 22.5 31.3 28.0 38.0 mΩ 34.5 15.4 0.76 42.0 Is 680 1.00 S V 3 A 820 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 102 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 3.0 pF Ω Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A 3.6 13.84 17.00 nC 6.74 8.10 nC 1.82 nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 3.20 4.6 4.1 7.0 6.2 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf trr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 20.6 5.2 16.5 30.0 7.5 20.0 ns ns ns 7.8 10.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14812AA-N ■標準特性と熱特性曲線 10V 25 20 6V 5V 4.5V Id (A) 20 15 3.5V 10 12 8 125°C 4 Vgs=3V 5 Vds=5V 16 4V Id (A) 30 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 1.6 Normalized On-Resistance 60 50 Rds(on) (m� ) 1.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=4.5V 40 30 20 Vgs=10V 1.5 Vgs=10V Id=5A 1.4 Vgs=4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 10 0 5 10 15 0 20 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1.0E+01 70 60 1.0E+00 Id=5A 50 Is Amps Rds(on) (m� ) 1 125°C 40 1.0E-01 1.0E-02 125°C 1.0E-03 30 25°C 20 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0.0 10 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 1.0 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14812AA-N 10 f=1MHz Vgs=0V 900 800 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1000 Vds=15V Id=6.9A 6 4 2 700 Ciss 600 500 400 300 200 Coss 100 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 14 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100 10ms 1s DC 0.1 1 10 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 30 20 0 0.001 100 Vds (Volts) 10 25 10 10s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 10�s 0.1s 1 15 40 Power W Id (Amps) 100�s 1ms 10 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000