elm14826aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14826AA-N
■概要
■特長
ELM14826AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=60V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=6.3A (Vgs=10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
60
V
±20
V
6.3
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
5.0
40
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
2.00
1.28
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
Rθja
定常状態
定常状態
Rθjl
■端子配列図
Typ.
50.0
Max.
62.5
単位
℃/W
73.0
31.0
110.0
40.0
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE2
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14826AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=48V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
60
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
40
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
Qg
Qg
Qgs
Vgs=10V, Id=6.3A
V
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=5.7A
Vds=5V, Id=6.3A
Is=1A, Vgs=0V
2.1
1
5
μA
100
nA
3.0
V
A
20
34
25
42
22
27
0.74
30
Is
mΩ
1.00
S
V
3
A
1920 2300
pF
Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz
155
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
116
0.65
pF
Ω
Vgs=10V, Vds=30V, Id=6.3A
47.6
24.2
6.0
0.80
58.0
30.0
nC
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=30V
14.4
7.6
5.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=4.7Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=6.3A, dlf/dt=100A/μs
28.9
5.5
33.2
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=6.3A, dlf/dt=100A/μs
43.0
40.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14826AA-N
■標準特性と熱特性曲線
40
30
10V
4V
25
4.5V
20
3.5V
125°C
15
10
10
25°C
5
Vgs=3V
0
0
1
2
3
4
0
5
1.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2.5
3
3.5
4
22
Normalized On-Resistance
2.2
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
18
16
Vgs=10V
2
Id=6.3A
1.8
Vgs=4.5V
1.6
Id=5.7A
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
50
Id=6.3A
1.0E+00
40
125°C
125°C
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m� )
2
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
24
Rds(on) (m� )
Vds=5V
20
Id (A)
Id (A)
30
30
25°C
1.0E-02
25°C
1.0E-03
20
1.0E-04
1.0E-05
10
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM14826AA-N
10
3000
Capacitance (pF)
8
Vgs (Volts)
3500
Vds=15V
Id=6.3A
6
4
2
Ciss
2500
2000
1500
Coss
1000
Crss
500
0
0
10
20
30
40
0
50
0
5
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
40
Rds(on)
limited
10�s
100�s
1ms
10.0
10ms
1s
1.0
0.1s
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
10
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
20
10
1
10
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
0.1
0.1
30
30
Power (W)
Id (Amps)
100.0
10
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
Similar pages