elm34802aa

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM34802AA-N
■概要
■特長
ELM34802AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=4.5A
MOSFET です。
・ Rds(on) < 68mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
4.5
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
3.6
20
A
2.0
1.3
-55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
定常状態
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE1
2
3
4
GATE1
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM34802AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
30
V
Vds=24V, Vgs=0V
1
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=55℃
10
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=4.5A
Vgs=5V, Id=3.5A
55
75
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=5V, Id=4.5A
4.5
ダイオード順方向電圧
動的特性
Vsd
If=1A, Vgs=0V
入力容量
出力容量
帰還容量
Ciss
Coss
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
Vgs=0V, Vds=15V
f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=4.5A
td(on)
Vgs=10V, Vds=15V
tr
Id=1A, RL=15Ω
td(off)
Rgen=6Ω
tf
trr
If=1A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
4-2
1.0
20
μA
±100 nA
1.5 3.0
V
A
68
98
1
mΩ
1
S
1
1.2
V
1
200
40
20
240
55
30
pF
pF
pF
6.5
1.2
8.5
1.8
nC
nC
2
2
1.6
2.4
nC
2
7
12
11
18
ns
ns
2
2
12
7
40
18
11
80
ns
ns
ns
2
2
N チャンネル MOSFET P6803HVG
NIKO-SEM デュアルパワー
Dual N-Channel Enhancement Mode
SOP-8
Lead-Free
ELM34802AA-N
Field
Effect Transistor
■標準特性と熱特性曲線
6.0V
2
4.5V
8
4.0V
6
1.8
4
3.5V
2
0
1
4.5V
1.4
5.0V
1.2
6.0V
7.0V
1
3.0V
0
VGS= 4.0V
1.6
DS(ON)
ID, Drain-source current(A)
VGS= 10V
R
, Noemalized
Drain-source on-resistance
On-Region Characteristics.
10
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
10V
0.8
2
3
0
4
2
ID= 4.5A
VGS= 10V
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
0.175
0.125
TA= 125° C
TA= 25° C
0.075
0.025
150
ID=3A
0.225
Is, Reverse Drain Current (A)
ID, Drain Current(A)
25°C
4
2
0
1
2
3
4
8
10
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
125°C
6
6
VGS, Gate to Source Voltage(V)
10
TA= -55°C
4
2
Transfer Characteristics.
8
10
0.275
TJ, Junction Temperature(°C)
VDS= 5V
8
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
RDS(ON), On-resistance(OHM)
DS(ON)
R
, Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with Temperature.
1.4
6
ID, Drain Current(A)
VDS, Drain-Source Voltage(V)
1.6
4
5
VGS, Gate to Source Voltage(V)
6
VGS= 0V
1
TA= 125°C
25°C
0.1
-55°C
0.01
0.001
0.0001
0
3
4-3
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD, Body Diode Forword Voltage(V)
May-10-2006
1.4
NIKO-SEM
デュアルパワー N チャンネル MOSFET P6803HVG
Dual N-Channel Enhancement Mode
ELM34802AA-N
Field Effect Transistor
Capacitance Characteristics
Gate-Charge Characteristics
10
ID = 4.5A
400
15V
VDS= 5V
Capacitance(pF)
8
VGS (Voltage)
10V
6
4
2
300
Ciss
200
Coss
100
Crss
0
0
0
1
2
3
4
5
5
0
7
6
15
20
25
30
Single Pulse Maximum Power Dissipation.
Maximum Safe Operating Area.
5
30
100
3
us
4
T
IMI
N)L
S(O
D
R
1m
s
Power(W)
10
ID, Drain Current(A)
10
VDS,Drain to Source Voltage(V)
Qg (nC)
10m
s
1
100
0.3
1s
DC
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=125°C/W
TA=25°C
0.1
0.03
0.01
SOP-8
Lead-Free
0.1
0.3
1
ms
3
2
VGS= 10V
SINGLE PULSE
R¿ JA=125°C/W
TA=25°C
1
3
10
30
50
0
0.01
0.1
1
10
100
300
Single pulse time(SEC)
VDS, Drain-Source Voltage(V)
1
D=0.5
0.5
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transient Thermal Response Curve.
0.2
0.2
0.1
0.05
0.05
0.02
R¿ JA(t) = r(t) * R¿ ��
R¿ JA=125°C/W
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
t1
t2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
t1 Time(Sec)
4-4
4
May-10-2006