デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM17800GA-S ■概要 ■特長 ELM17800GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Vds=20V ・ Id=0.9A (Vgs=4.5V) また、 保護回路によって ESD 耐性があります。 ・ Rds(on) < 300mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 350mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 450mΩ (Vgs=1.8V) ・ ESD Rating : 1500V HBM ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V ±8 V 0.9 0.7 5 Id パルス ・ ドレイン電流 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 0.30 0.19 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード Rθja 定常状態 定常状態 Rθjl ■端子配列図 � � � Max. 415 単位 ℃/W 400 300 460 350 ℃/W ℃/W ■回路 SC-70-6(TOP VIEW) � Typ. 360 � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE1 GATE1 DRAIN2 4 5 6 SOURCE2 GATE2 DRAIN1 4-1 備考 1 3 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM17800GA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 20 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs V 0.50 0.75 1 5 μA 25 μA 0.90 V 5 A 181 253 300 350 Vgs=2.5V, Id=0.75A Vgs=1.8V, Id=0.7A Vds=5V, Id=0.8A 237 317 2.6 350 450 Is=0.5A, Vgs=0V 0.69 1.00 0.4 V A 101 120 pF 4 pF pF Ω Vgs=4.5V Id=0.9A Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A 17 14 3 1.57 0.13 mΩ S 1.90 nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=5V, Vds=10V 0.36 3.2 4.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω tf trr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 15.5 2.4 6.7 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=0.8A, dlf/dt=100A/μs 1.6 8.1 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM17800GA-S ■標準特性と熱特性曲線 10 4 8V 10V Vds=5V 5V 8 3 3.5V 6 3V 4 25°C 125°C Id (A) Id (A) 4V 2 2.5V Vgs=2V 2 1 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 1.8 440 Normalized On-Resistance Vgs=1.8V 400 360 320 Vgs=2.5V 280 240 Vgs=4.5V 200 2 2.5 3 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 480 Rds(on) (m� ) 1 Vgs=1.8V 1.6 Vgs=2.5V Id=0.75A Id=0.7A 1.4 Vgs=4.5V Id=0.9A 1.2 1 160 0 1 2 3 0.8 4 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1E+01 500 460 1E+00 420 125°C Id=0.9A 380 1E-01 340 Is (A) Rds(o) (m� ) 25 125°C 300 260 1E-02 25°C 1E-03 220 25°C 1E-04 180 140 1 2 3 4 5 6 7 1E-05 8 0.0 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.4 0.8 1.2 1.6 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 2.0 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM17800GA-S 200 5 Vds=10V Id=0.9A Capacitance (pF) Vgs (Volts) 4 3 2 1 150 Ciss 100 Coss 50 0 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 2.0 5 10.0 Tj(max)=150°C, Ta=25°C Rds(on) limited 10ms 16 100�s 1s 0.1 10s 1 10 0 0.001 100 Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=415°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Vds (Volts) 10 8 4 DC 0.0 0.1 20 12 1ms 0.1s 15 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10�s Power (W) 1.0 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 P Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000