elm17800ga

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM17800GA-S
■概要
■特長
ELM17800GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Vds=20V
・ Id=0.9A (Vgs=4.5V)
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 300mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 350mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 450mΩ (Vgs=1.8V)
・ ESD Rating : 1500V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
±8
V
0.9
0.7
5
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
0.30
0.19
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
Rθja
定常状態
定常状態
Rθjl
■端子配列図
�
�
�
Max.
415
単位
℃/W
400
300
460
350
℃/W
℃/W
■回路
SC-70-6(TOP VIEW)
�
Typ.
360
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE1
GATE1
DRAIN2
4
5
6
SOURCE2
GATE2
DRAIN1
4-1
備考
1
3
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM17800GA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
20
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
V
0.50
0.75
1
5
μA
25
μA
0.90
V
5
A
181
253
300
350
Vgs=2.5V, Id=0.75A
Vgs=1.8V, Id=0.7A
Vds=5V, Id=0.8A
237
317
2.6
350
450
Is=0.5A, Vgs=0V
0.69
1.00
0.4
V
A
101
120
pF
4
pF
pF
Ω
Vgs=4.5V
Id=0.9A
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=0.8A
17
14
3
1.57
0.13
mΩ
S
1.90
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
0.36
3.2
4.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=12.5Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
15.5
2.4
6.7
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=0.8A, dlf/dt=100A/μs
1.6
8.1
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM17800GA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
4
8V
10V
Vds=5V
5V
8
3
3.5V
6
3V
4
25°C
125°C
Id (A)
Id (A)
4V
2
2.5V
Vgs=2V
2
1
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
1.8
440
Normalized On-Resistance
Vgs=1.8V
400
360
320
Vgs=2.5V
280
240
Vgs=4.5V
200
2
2.5
3
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
480
Rds(on) (m� )
1
Vgs=1.8V
1.6
Vgs=2.5V
Id=0.75A
Id=0.7A
1.4
Vgs=4.5V
Id=0.9A
1.2
1
160
0
1
2
3
0.8
4
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1E+01
500
460
1E+00
420
125°C
Id=0.9A
380
1E-01
340
Is (A)
Rds(o) (m� )
25
125°C
300
260
1E-02
25°C
1E-03
220
25°C
1E-04
180
140
1
2
3
4
5
6
7
1E-05
8
0.0
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0.4
0.8
1.2
1.6
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
2.0
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM17800GA-S
200
5
Vds=10V
Id=0.9A
Capacitance (pF)
Vgs (Volts)
4
3
2
1
150
Ciss
100
Coss
50
0
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
2.0
5
10.0
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
Rds(on)
limited
10ms
16
100�s
1s
0.1
10s
1
10
0
0.001
100
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=415°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Vds (Volts)
10
8
4
DC
0.0
0.1
20
12
1ms
0.1s
15
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10�s
Power (W)
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
P
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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