elm57800ga

デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM57800GA-S
■概要
■特長
ELM57800GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Vds=20V
・ Id=1.8A
・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 580mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
�
A
Idm
6
A
0.3
0.2
-55 ~ 150
W
℃
■回路
SC-70-6(TOP VIEW)
�
1.8
1.2
Tj, Tstg
■端子配列図
�
Id
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
�
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
20
V
±12
V
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE1
GATE1
DRAIN2
4
5
SOURCE2
GATE2
6
DRAIN1
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM57800GA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
20
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=85℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
1.8
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
V
1
5
μA
±100
nA
1.0
V
A
Vgs=4.5V, Id=1.8A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A
240
300
280
340
Vgs=1.8V, Id=1.2A
Vds=10V, Id=1.0A
Is=1.0A, Vgs=0V
500
1
0.65
580
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Is
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
Qg
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=1.2A
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=4.5V, Vds=10V
RL=20Ω, Id=1.2A
5-2
mΩ
1.20
S
V
1
A
70
pF
20
pF
8
pF
1.06
1.38
nC
0.18
0.32
18
26
nC
nC
ns
20
70
25
28
110
40
ns
ns
ns
AFN1912
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Enhancement
デュアルパワー N チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
ELM57800GA-S
■標準特性と熱特性曲線
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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AFN1912
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM57800GA-S
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
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AFN1912
Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
デュアルパワー N チャンネル MOSFET
ELM57800GA-S
Typical Characteristics
■テスト回路と波形
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