elm5b801qa

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM5B801QA-N
■概要
■特長
ELM5B801QA-N は低入力容量、 低電圧駆動、
・ Vds=-20V
低オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパ
・ Id=-4.5A, Rds(on)=96mΩ (Vgs=-4.5V)
ワー MOSFET です。
・ Id=-3.8A, Rds(on)=128mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Id=-2.5A, Rds(on)=180mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vds
Vgs
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
-20
±12
-4.5
Id
Tc=25℃
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
A
-3.8
-12
Idm
最大許容損失
V
V
A
6.5
4.2
-55 ~ 150
Pd
Tj, Tstg
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
■端子配列図
�
�
�
Typ.
Max.
120
単位
℃/W
■回路
DFN6-2x2(TOP VIEW)
�
記号
Rθja
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE1
2
3
4
GATE1
DRAIN2
SOURCE2
5
GATE2
6
DRAIN1
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM5B801QA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-16V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Ta=85℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Id(on)
Vgs=-2.5V, Vds=-5V
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-3.8A
Vgs=-1.8V, Id=-2.5A
Gfs
Vsd
-0.3
-8
-3
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-3.5A
td(on)
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
tr
Id=-3.5A, RL=2.85Ω
td(off)
Rgen=1Ω
tf
5-2
μA
±100
nA
-0.8
V
A
86
96
114
150
128
180
6.5
-0.75 -1.30
-1.6
Ciss
Coss
Crss
ターン ・ オフ立ち下がり時間
Vds=-5V, Id=-2.8A
Is=-1.25A, Vgs=0V
-30
Is
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
V
-1
Vgs=-4.5V, Id=-4.5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-20
mΩ
S
V
A
375
pF
80
60
pF
pF
5.00 10.00 nC
0.85
nC
1.50
nC
15
36
25
25
60
50
ns
ns
ns
15
25
ns
AFP2911W
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
Enhancement
デュアルパワー P チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
ELM5B801QA-N
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.B Nov. 2011
www.alfa-mos.com
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20V P-Channel
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デュアルパワー P チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
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Typical Characteristics
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20V P-Channel
Technology
デュアルパワー P チャンネル
MOSFETMode MOSFET
Enhancement
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■測定回路と波形
Typical
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