elm14801ab

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14801AB-N
■概要
■特長
ELM14801AB-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=-5A (Vgs=-10V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 48mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 57mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ 電流
アバランシェ エネルギー
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接続温度範囲及び保存温度範囲
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±12
V
Id
-5
-4
A
Idm
-28
A
3
Ias, Iar
Eas, Ear
17
14
A
mJ
3
3
W
2
Pd
Tj, Tstg
2.0
1.3
-55 to 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
備考
48.0
62.5
℃/W
1
74.0
32.0
90.0
40.0
℃/W
℃/W
1, 4
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE2
2
3
4
GATE2
SOURCE1
GATE1
5
6
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14801AB-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-30V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-0.5
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
-28
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=-10V
Id=-5A
Vgs=-4.5V, Vds=-15V
Id=-5A
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=-5A, dIf/dt=100A/μs
Qrr
If=-5A, dlf/dt=100A/μs
±100
nA
-1.3
V
A
45
60
18
57
80
-0.7
-1.0
-2.5
V
A
515
645
780
pF
55
30
4.0
80
55
7.8
105
80
12.0
pF
pF
Ω
5.0
7.0
1.5
9.0
nC
nC
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
μA
48
72
Vgs=-4.5V, Id=-3.5A
Vgs=-2.5V, Id=-2.5A
Vds=-5V, Id=-5A
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
-0.9
-1
-5
40
60
Ta=125℃
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
V
mΩ
S
2.5
6.5
3.5
nC
ns
ns
41.0
9.0
11
15
ns
ns
ns
3.5
5.0
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存します。
2. 電力損失 Pd は、 Tj(最大)=150℃、 10 秒接合部 - 周囲間熱抵抗を使用するのに基づいています。
3. 反復定格及びパルス幅は、 接合部温度 Tj(最大)=150℃で制限します。 定格値は低周波数とデューティサイク
ルに基づいて初期 Tj=25℃を維持します。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ~ 6 は <300μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
6. これらの曲線は、 Tj(最大)=150℃、 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されて
います。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
5-2
AO4801A
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14801AB-N
■標準特性と熱特性曲線
30
20
-10V
25
VDS=-5V
-4.5V
15
-ID(A)
-ID (A)
15
-3V
20
-2.5V
10
125°C
10
25°C
5
5
VGS=-2V
0
0
0
1
2
3
4
0
5
1
1.5
90
Normalized On-Resistance
1.8
VGS=-2.5V
70
VGS=-4.5V
50
30
2
2.5
3
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
RDS(ON) (mΩ )
0.5
VGS=-10V
VGS=-4.5V
ID=-3.5A
1.6
VGS=-10V
ID=-5A
1.4
VGS=-2.5V
ID=-2.5A
1.2
1
0.8
10
0
2
4
6
8
0
10
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage (Note 5)
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note 5)
100
1.0E+01
ID=-5A
1.0E+00
125°C
125°C
1.0E-01
-IS (A)
RDS(ON) (mΩ )
80
60
1.0E-02
25°C
1.0E-03
40
25°C
1.0E-04
1.0E-05
20
0
2
4
6
8
10
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
5-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
1.2
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14801AB-N
1200
5
VDS=-15V
ID=-5A
1000
Ciss
Capacitance (pF)
-VGS (Volts)
4
3
2
800
600
400
1
0
Crss
0
0
3
6
9
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
12
0
100.0
10µs
RDS(ON)
limited
10
15
20
25
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
1ms
10ms
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
0.1
1
10
1
0.00001
100
-VDS (Volts)
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6)
Figure 9: Maximum Forward Biased
Safe Operating Area (Note 6)
10
100
10
1s
10s
DC
0.0
0.1
30
TJ(Max)=150°C
TA=25°C
1000
100µs
1.0
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
5
10000
Power (W)
10.0
-ID (Amps)
Coss
200
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
RθJA=90°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
0.1
PD
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6)
5-4
100
1000
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14801AB-N
■測定回路と波形
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
-
+
VDC
-
Qgd
Qgs
Vds
+
VDC
DUT
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vgs
DUT
Vgs
VDC
-
td(on)
t d(off)
tr
tf
90%
Vdd
+
Rg
toff
ton
Vgs
10%
Vds
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
2
L
E AR= 1/2 LIAR
Vds
Vds
Id
VDC
-
Vgs
Vgs
+
Rg
Vdd
BVDSS
Id
I AR
DUT
Vgs
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vds +
DUT
Vds -
Isd
Vgs
Ig
Vgs
L
-Isd
+ Vdd
VDC
-
-I F
t rr
dI/dt
-I RM
-Vds
5-5
Vdd
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