elm14805aa

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14805AA-N
■概要
■特長
ELM14805AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=-8A (Vgs=-20V)
MOSFET です。
・ Rds(on) < 18mΩ (Vgs=-20V)
・ Rds(on) < 19mΩ (Vgs=-10V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
-8.0
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
±25
V
-6.9
-40
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接続温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
2.00
1.44
-55 ~ 150
A
1
A
2
W
1
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
最大接合部 - リード
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
50.0
Max.
62.5
単位
℃/W
73.0
110.0
℃/W
31.0
40.0
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE2
2
3
GATE2
SOURCE1
4
5
6
GATE1
DRAIN1
DRAIN1
7
8
DRAIN2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14805AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=-24V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±25V
-30
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
-1.7
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V
-40
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=-10V
Id=-8A
V
Ta=125℃
Vgs=-20V, Id=-8A
Vgs=-4.5V, Id=-5A
Vds=-5V, Id=-8A
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-8A
16
-2.5
-1
-5
μA
±100
nA
-3.0
V
A
16.0
20.5
19.0
25.0
15.0
33.0
21
18.0
mΩ
S
-0.75 -1.00
-2.6
V
A
2076 2500
pF
503
302
2
39.0
8.0
3
45.0
pF
pF
Ω
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
11.4
12.7
7.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
25.2
12.0
32
ns
ns
ns
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-8A, dlf/dt=100A/μs
26
40
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14805AA-N
■標準特性と熱特性曲線
50
-10V
-8V
25
-6V
20
-5V
30
20
-Id (A)
-Id (A)
Vds=-5V
-5.5V
40
-4.5V
10
15
10
125°C
5
Vgs=-4V
25°C
0
0
0
1
2
3
4
0
5
0.5
30
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
1.4
25
Vgs=-6V
20
15
Vgs=-10V
10
5
0
Id=-8A
1.3
Vgs=-10V
1.2
1.1
Vgs=-4.5V
1
0.9
0.8
0
5
10
15
20
25
0
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
60
1.0E+00
50
Id=-8A
1.0E-01
40
30
-Is (A)
Rds(on) (m� )
1
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
125°C
20
1.0E-03
1.0E-04
25°C
10
1.0E-05
0
1.0E-06
2
4
6
125°C
1.0E-02
8
25°C
0.0
10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.2
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM14805AA-N
10
2500
Capacitance (pF)
8
-Vgs (Volts)
3000
Vds=-15V
Id=-8A
6
4
Ciss
2000
1500
Coss
1000
2
Crss
500
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
40
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
10.0
100�s
1ms
Rds(on)
limited
10�s
10ms
1s
DC
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
0
0.01
0.1
1
-Vds (Volts)
10
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=62.5°C/W
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
10
10s
10
20
30
0.1s
0.1
15
40
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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