デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM34801AA-N ■概要 ■特長 ELM34801AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=-6A MOSFET です。 ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 -6 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±20 V Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接続温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A -5 -30 A 2.5 1.3 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE1 GATE1 SOURCE2 4 5 GATE2 DRAIN2 6 7 8 DRAIN2 DRAIN1 DRAIN1 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM34801AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss -30 V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V -0.9 -30 ±100 nA -1.5 -3.0 V A Rds(on) Vgs=-10V, Id=-6A Vgs=-4.5V, Id=-5A 40 65 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-10V, Id=-6A 16 ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=-1A, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism ドレイン - ソースオン状態抵抗 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Coss Crss Qg Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-6A td(on) Vgs=-10V, Vds=-15V tr Id=-1A, RL=1Ω td(off) Rgen=6Ω tf trr Qrr If=-5A, dlf/dt=100A/μs If=-5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 μA 50 80 1 mΩ 1 S 1 -1.2 -2.1 V A 1 -4 A 3 530 pF 135 70 pF pF 10.0 14.0 nC 2 2.2 2.0 nC nC 2 2 5.7 10.0 18.0 ns ns ns 2 2 2 5.0 ns 2 15.5 7.9 ns nC Logic Level Enhancement P06B03LVG NIKO-SEM Dual P-Channel Mode Field Effect Transistor SOP-8 デュアルパワー P チャンネル MOSFET Lead Free ELM34801AA-N ■標準特性と熱特性曲線 3 4-3 May-04-2005 P-Channel Logic Level Enhancement デュアルパワー P チャンネル MOSFET P06B03LVG NIKO-SEM Dual Mode Field Effect Transistor ELM34801AA-N 4 4-4 SOP-8 Lead Free May-04-2005