elm34803aa

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM34803AA-N
■概要
■特長
ELM34803AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-30V
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Id=-8A
MOSFET です。
・ Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 34mΩ (Vgs=-4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
-30
V
Vgs
±25
-8
-6
V
Idm
Ias
-40
-30
A
A
45
mJ
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
Id
アバランシェ エネルギー
L=0.1mH
Eas
最大許容損失
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
接続温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
2.00
1.28
-55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE1
GATE1
3
4
SOURCE2
GATE2
5
6
7
DRAIN2
DRAIN2
DRAIN1
8
DRAIN1
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM34803AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Vsd
V
Vds=-24V, Vgs=0V
-1
Vds=-20V, Vgs=0V
Ta=125℃
-10
ゲート漏れ電流
Igss Vds=0V, Vgs=±25V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Vgs=-10V, Id=-9A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=-4.5V, Id=-7A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=-5V, Id=-9A
ダイオード順方向電圧
-30
-1.0
±100 nA
-1.5 -3.0
V
20
22
mΩ
29
34
20
S
If=-9A, Vgs=0V
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=-15V
f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-10V, Vds=-15V
Id=-9A
td(on)
tr
Vgs=-10V, Vds=-15V
td(off) Id=-9A, Rgen=6Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tf
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
If=-9A, dlf/dt=100A/μs
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
μA
-1
V
-2
A
1
1
1
1480
334
231
pF
pF
pF
2.9
Ω
30
nC
2
15
nC
2
5
6
nC
nC
2
2
13
8
16
ns
ns
ns
2
2
2
12
ns
2
40
26
ns
nC
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
Level Enhancement Mode P2003KV
NIKO-SEM P-Channel Logic
ELM34803AA-N
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Field Effect Transistor
■標準特性と熱特性曲線
Output Characteristics
V GS = 7V
25
V G S = 4 .5 V
20
15
10
5
VGS = 3V
0
1
1 .5
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
2
0.06
0.04
0.02
ID = -9A
0
2
4
6
0.06
0.05
8
VGS = 4.5V
0.04
0.03
VGS = 10V
0.02
0.01
0
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0.08
0
0.07
2 .5
On-Resistance VS Gate-To-Source
0.10
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
0 .5
On-Resistance VS Drain Current
0.08
VGS = 10V
RDS(ON)ON-Resistance(OHM)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
30
5
0
1.5
RDS(ON) ╳
1.4
RDS(ON) ╳
1.3
RDS(ON) ╳
1.2
RDS(ON) ╳
1.1
RDS(ON) ╳
1.0
RDS(ON) ╳
0.9
RDS(ON) ╳
0.8
RDS(ON) ╳
0.7
-50
25
20
15
T j =125° C
T j =25° C
T j =-20° C
0
1.0
-25
0
25
50
75
100
125
150
Gate charge Characteristics
Characteristics
10
-VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
-ID, Drain-To-Source Current(A)
Transfer Characteristics
5
25
TJ , Junction Temperature(˚C)
V DS = -15V
10
20
V GS=-10V
ID =-9A
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
30
15
On-Resistance VS Temperature
RDS(ON) ╳
10
10
-ID , Drain-To-Source Current
8
ID=-9A
V DS=-15V
6
4
2
0
1.5
REV 0.9
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
-VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
4.5
0
5.0
3
4-3
5
10
15
20
Qg , Total Gate Charge
25
Sep-21-2009
30
デュアルパワー
PLevel
チャンネル
MOSFET
P-Channel
Logic
Enhancement
Mode P2003KV
NIKO-SEM
ELM34803AA-N
Field
Effect Transistor
Body Diode Forward Voltage VS Source current
Capacitance Characteristic
1.0E+02
-IS , Source Current(A)
2.00E+03
C , Capacitance(pF)
1.60E+03
Ciss
8.00E+02
4.00E+02
Coss
1.0E-01
0
5
10
15
20
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1.0E-03
25
0.0
30
Safe Operating Area
1000
↓
70
0.6
0.8
Power(W)
80
100us
1
NOTE :
1.V GS= 10V
2.TA=25° C
3.RθJA = 62.5° C/W
4.Single Pulse
1.0
1.2
SINGLE PULSE
RθJA = 62.5° C/W
TA=25° C
60
50
1m s
40
10m s
100m s
1S
10S
DC
30
20
10
0
0.01
1
10
0.0001
100
-VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
1
10
Transient Thermal Response Curve
1.00E+01
Transient Thermal Resistance
0.4
Single Pulse Maximum Power Dissipation
90
0.1
0.2
-VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
100
Operation in This
Area is Lim ite d by
RDS(ON)
10
r(t) , Normalized Effective
T J =25 ° C
1.0E-02
1.0E-05
0.00E+00
0.1
T J =150° C
1.0E-04
Crss
-ID , Drain Current(A)
1.0E +01
1.0E+00
1.20E+03
100
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
0.2
Note
0.1
1.00E-01
0.05
0.02
1.00E-02
0.01
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 62.5 ℃ /W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single Pluse
1.00E-03
1.E-06
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
4
4-4
1.E+00
1.E+01
1.E+02
Sep-21-2009
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