デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM34803AA-N ■概要 ■特長 ELM34803AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=-8A MOSFET です。 ・ Rds(on) < 22mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 34mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V Vgs ±25 -8 -6 V Idm Ias -40 -30 A A 45 mJ Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 Id アバランシェ エネルギー L=0.1mH Eas 最大許容損失 Tc=25℃ Tc=70℃ Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg A 2.00 1.28 -55 ～ 150 3 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 Rθja ■端子配列図 Typ. Max. 62.5 単位 ℃/W 備考 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE1 GATE1 3 4 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー P チャンネル MOSFET ELM34803AA-N ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V Idss 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 Vsd V Vds=-24V, Vgs=0V -1 Vds=-20V, Vgs=0V Ta=125℃ -10 ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±25V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Vgs=-10V, Id=-9A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=-4.5V, Id=-7A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=-5V, Id=-9A ダイオード順方向電圧 -30 -1.0 ±100 nA -1.5 -3.0 V 20 22 mΩ 29 34 20 S If=-9A, Vgs=0V Is Ciss Coss Crss Rg Vgs=0V, Vds=-15V f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg Qg Qgs Qgd Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-9A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V td(off) Id=-9A, Rgen=6Ω ターン ・ オフ立ち下がり時間 tf 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 trr Qrr If=-9A, dlf/dt=100A/μs If=-9A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 μA -1 V -2 A 1 1 1 1480 334 231 pF pF pF 2.9 Ω 30 nC 2 15 nC 2 5 6 nC nC 2 2 13 8 16 ns ns ns 2 2 2 12 ns 2 40 26 ns nC デュアルパワー P チャンネル MOSFET Level Enhancement Mode P2003KV NIKO-SEM P-Channel Logic ELM34803AA-N SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free Field Effect Transistor ■標準特性と熱特性曲線 Output Characteristics V GS = 7V 25 V G S = 4 .5 V 20 15 10 5 VGS = 3V 0 1 1 .5 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 2 0.06 0.04 0.02 ID = -9A 0 2 4 6 0.06 0.05 8 VGS = 4.5V 0.04 0.03 VGS = 10V 0.02 0.01 0 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 0.08 0 0.07 2 .5 On-Resistance VS Gate-To-Source 0.10 RDS(ON)ON-Resistance(OHM) 0 .5 On-Resistance VS Drain Current 0.08 VGS = 10V RDS(ON)ON-Resistance(OHM) -ID, Drain-To-Source Current(A) 30 5 0 1.5 RDS(ON) ╳ 1.4 RDS(ON) ╳ 1.3 RDS(ON) ╳ 1.2 RDS(ON) ╳ 1.1 RDS(ON) ╳ 1.0 RDS(ON) ╳ 0.9 RDS(ON) ╳ 0.8 RDS(ON) ╳ 0.7 -50 25 20 15 T j =125° C T j =25° C T j =-20° C 0 1.0 -25 0 25 50 75 100 125 150 Gate charge Characteristics Characteristics 10 -VGS , Gate-To-Source Voltage(V) -ID, Drain-To-Source Current(A) Transfer Characteristics 5 25 TJ , Junction Temperature(˚C) V DS = -15V 10 20 V GS=-10V ID =-9A -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 30 15 On-Resistance VS Temperature RDS(ON) ╳ 10 10 -ID , Drain-To-Source Current 8 ID=-9A V DS=-15V 6 4 2 0 1.5 REV 0.9 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 -VGS, Gate-To-Source Voltage(V) 4.5 0 5.0 3 4-3 5 10 15 20 Qg , Total Gate Charge 25 Sep-21-2009 30 デュアルパワー PLevel チャンネル MOSFET P-Channel Logic Enhancement Mode P2003KV NIKO-SEM ELM34803AA-N Field Effect Transistor Body Diode Forward Voltage VS Source current Capacitance Characteristic 1.0E+02 -IS , Source Current(A) 2.00E+03 C , Capacitance(pF) 1.60E+03 Ciss 8.00E+02 4.00E+02 Coss 1.0E-01 0 5 10 15 20 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 1.0E-03 25 0.0 30 Safe Operating Area 1000 ↓ 70 0.6 0.8 Power(W) 80 100us 1 NOTE : 1.V GS= 10V 2.TA=25° C 3.RθJA = 62.5° C/W 4.Single Pulse 1.0 1.2 SINGLE PULSE RθJA = 62.5° C/W TA=25° C 60 50 1m s 40 10m s 100m s 1S 10S DC 30 20 10 0 0.01 1 10 0.0001 100 -VDS, Drain-To-Source Voltage(V) 0.001 0.01 0.1 1 10 Transient Thermal Response Curve 1.00E+01 Transient Thermal Resistance 0.4 Single Pulse Maximum Power Dissipation 90 0.1 0.2 -VSD, Source-To-Drain Voltage(V) 100 Operation in This Area is Lim ite d by RDS(ON) 10 r(t) , Normalized Effective T J =25 ° C 1.0E-02 1.0E-05 0.00E+00 0.1 T J =150° C 1.0E-04 Crss -ID , Drain Current(A) 1.0E +01 1.0E+00 1.20E+03 100 SOP-8 Halogen-Free & Lead-Free 1.00E+00 Duty Cycle=0.5 0.2 Note 0.1 1.00E-01 0.05 0.02 1.00E-02 0.01 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJA = 62.5 ℃ /W 3.TJ-TA = P*RthJA(t) 4.RthJA(t) = r(t)*RthJA single Pluse 1.00E-03 1.E-06 1.E-05 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 T1 , Square Wave Pulse Duration[sec] REV 0.9 4 4-4 1.E+00 1.E+01 1.E+02 Sep-21-2009