elm57801ga

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM57801GA-S
■概要
■特長
ELM57801GA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Vds=-20V
・ Id=-1.4A
・ Rds(on) < 600mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 800mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 1600mΩ (Vgs=-1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Vgs
±12
V
Id
-1.4
-1.0
A
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
端子番号
端子記号
�
1
2
3
SOURCE1
GATE1
DRAIN2
4
5
6
SOURCE2
GATE2
DRAIN1
�
A
W
-55 ~ 150
℃
■回路
SC-70-6(TOP VIEW)
�
-6
0.3
0.2
Pd
■端子配列図
�
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
-20
V
�
�
5-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM57801GA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=-20V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Ta=85℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-4.5V, Id=-0.6A
Rds(on) Vgs=-2.5V, Id=-0.5A
Vgs=-1.8V, Id=-0.4A
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=-10V, Id=-0.4A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
Is=-0.15A, Vgs=0V
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
ゲート - ソース電荷
Qgs
Qg
V
-1
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
-20
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
-5
-0.4
-0.7
460
±100
nA
-1.0
V
A
600
680 800 mΩ
1200 1600
1
S
-0.65 -1.20
-1
70
20
100
10
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-0.25A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
RL=30Ω, Id=-0.2A
td(off)
Rgen=10Ω
tf
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
5-2
μA
1.0
V
A
pF
pF
pF
1.3
nC
0.1
nC
0.3
10
15
nC
ns
10
40
30
15
60
50
ns
ns
ns
AFP1913
Alfa-MOS
20V P-Channel
Technology
Enhancement
デュアルパワー P チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
ELM57801GA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A July 2011
www.alfa-mos.com
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20V P-Channel
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デュアルパワー P チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
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Typical Characteristics
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20V P-Channel
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デュアルパワー P チャンネル
MOSFET Mode MOSFET
Enhancement
ELM57801GA-S
■テスト回路と波形
Typical
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