elm18801ba

デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM18801BA-S
■概要
■特長
ELM18801BA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー
・ Vds=-20V
・ Id=-4.7A (Vgs=-4.5V)
MOSFET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性が
あります。
・ Rds(on) < 42mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 53mΩ (Vgs=-2.5V)
・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-1.8V)
・ ESD Rating : 3000V HBM
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流
Ta=25℃
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
最大許容損失
特に指定なき場合、 Ta=25℃
規格値
単位
備考
-20
V
Vgs
±8
V
Id
-4.7
-3.7
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
接続温度範囲及び保存温度範囲
-30
1.4
0.9
Pd
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
TSSOP-8 (TOP VIEW)
Typ.
73
Max.
90
単位
℃/W
96
63
125
75
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
端子番号
1
2
端子記号
DRAIN1
SOURCE1
3
4
5
SOURCE1
GATE1
GATE2
6
7
8
SOURCE2
SOURCE2
DRAIN2
4-1
��
��
��
��
��
��
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM18801BA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=-16V
Vgs=0V
Ta=55℃
Vds=0V, Vgs=±8V
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
Crss
Rg
-5
Vds=0V, Vgs=±4.5V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Rds(on)
V
-1
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
-20
Vgs=-4.5V
Id=-4.7A
Vgs=-2.5V, Id=-4A
Vgs=-1.8V, Id=-2A
Vds=-5V, Id=-4.7A
Is=-1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
±1
μA
±10
μA
-0.30 -0.55 -1.00
-25
Ta=125℃
8
μA
V
A
35
47
42
57
44
54
16
53
70
mΩ
S
-0.78 -1.00
-2.2
V
A
1450
205
pF
pF
160
6.5
pF
Ω
17.2
1.3
4.5
nC
nC
nC
9.5
17.0
94.0
ns
ns
ns
ns
ns
nC
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-4A
td(on)
tr
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
td(off) RL=2.5Ω, Rgen=3Ω
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
tf
trr
If=-4A, dlf/dt=100A/μs
35.0
31.0
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=-4A, dlf/dt=100A/μs
13.8
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 またアプリケー
ションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラ
フはパルス定格を規定しています。
4-2
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM18801BA-S
■標準特性と熱特性曲線
25
10
-4.5V
-8V
Vds=-5V
-3.0V
20
8
-2.5V
-Id (A)
-Id (A)
-2.0V
15
10
6
125°C
4
Vgs=-1.5V
5
2
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
-Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
2
1.6
Normalized On-Resistance
Vgs=-1.8V
Rds(on) (m� )
1.5
-Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
80
60
Vgs=-2.5V
40
Vgs=-4.5V
20
Id=-4.7A, Vgs=-2.5V
1.4
Id=-2A, Vgs=-1.8V
1.2
Id=-4.7A, Vgs=-4.5V
1.0
0.8
0
2
4
6
8
10
0
25
-Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1E+01
90
1E+00
Id=-4.7A
75
100
125
150
175
125°C
1E-01
-Is (A)
70
60
125°C
50
50
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
80
Rds(on) (m� )
1
25°C
1E-02
1E-03
1E-04
40
25°C
1E-05
30
1E-06
20
0
2
4
6
8
-Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.2
デュアルパワー P チャンネル MOSFET
ELM18801BA-S
2400
5
Vds=-10V
Id=-4.7A
2000
Capacitance (pF)
-Vgs (Volts)
4
3
2
Ciss
1600
1200
1
800
Coss
400
0
0
5
10
15
Crss
0
20
0
-Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
40
10�s
100�s
1ms
10ms
1s
10s
1
Z� ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
20
10
-Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/(Ton+T)
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
20
0.1s
DC
0.1
0.1
15
30
Rds(on)
10.0 limited
1.0
10
-Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Power (W)
-Id (Amps)
100.0
5
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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