elm14354aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14354AA-N
■概要
■特長
ELM14354AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー
・ Vds=30V
ト電圧、 及び低いオン抵抗という特性を備えた大電流
・ Id=23A (Vgs=10V)
MOS FET です。
・ Rds(on) < 3.7mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 5.3mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
繰り返しアバランシェ エネルギー
Vds スパイク
最大許容損失
L=0.1mH
100ns
Tc=25℃
Tc=100℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
30
±20
23
Id
V
V
A
14
Idm
Ias
174
37
A
A
3
3
Eas
Vspike
68
36
3.1
mJ
V
3
W
2
Pd
Tj, Tstg
1.2
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
31
Max.
40
単位
℃/W
備考
1
59
16
75
24
℃/W
℃/W
1, 4
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
5-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14354AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
1
5
μA
100
nA
1.8
2.2
V
3.0
3.7
Vgs=4.5V, Id=20A
4.1
4.1
5.0
5.3
Vds=5V, Id=20A
Is=1A, Vgs=0V
105
0.7
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
Is
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (10V)
総ゲート電荷 (4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on)
Rg
Qg
Qgs
Qgd
Vgs=10V, Id=20A
1.2
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=10V, Vds=15V
Id=20A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=0.75Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
V
If=20A, dlf/dt=500A/μs
If=20A, dlf/dt=500A/μs
0.9
1.0
4
mΩ
S
V
A
2010
898
pF
pF
124
pF
1.8
2.7
Ω
36
49
nC
17
6
8
23
nC
nC
nC
7.5
4.0
37.0
ns
ns
ns
7.5
14.0
20.3
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存ます。
2. 許容損失 Pd は10秒以内の接合部 - 周囲温度の熱抵抗値を用いた Tj(max)=150℃の値です。
3. 繰り返し試験では、 パルス幅は Tj(max)=150 度以下となるパルス幅とする。 パルス印加時の周期はパルス立
ち上がり時に Tj=25 度となるよう長周期とする。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ~ 6 は 300msパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
6. これらの特性は 2oz 銅箔の 1 平方インチ FR4 基板、 室温無風条件で測定された接合部 - 周囲温度の熱抵抗
値を用いた Tj(max) =150℃の値です。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
5-2
AO4354
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14354AA-N
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
100
50
VDS=5V
4.5V
80
40
3.5V
10V
30
ID(A)
ID (A)
60
3V
40
20
125�C
25�C
10
20
VGS=2.5V
0
0
0
1
2
3
4
0
5
6
Normalized On-Resistance
RDS(ON) (mΩ
Ω)
2
3
4
5
6
1.8
5
VGS=4.5V
4
3
2
VGS=10V
1
0
VGS=10V
ID=20A
1.6
1.4
1.2
VGS=4.5V
ID=20A
1
0.8
0
5
10
15
20
25
30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note 5)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note )5)
8
1.0E+02
ID=20A
1.0E+01
6
1.0E+00
125�C
4
IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
125�C
1.0E-01
1.0E-02
2
25�C
1.0E-03
25�C
1.0E-04
0
2
1.0E-05
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
5-3
0.2
AO4354
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14354AA-N
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
3000
10
VDS=15V
ID=20A
2500
Capacitance (pF)
8
VGS (Volts)
6
4
2000
1500
1000
2
Coss
500
Crss
0
0
0
10
20
30
40
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
50
1000.0
0
5
10
15
20
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
25
10000
10µs
RDS(ON)
10µs
100µs
10.0
1.0
1ms
DC
0.1
10ms
100
10
TJ(Max)=150�C
TC=25�C
0.0
0.01
0.1
TA=25�C
TJ(Max)=150�C
TC=25�C
1000
Power (W)
100.0
ID (Amps)
Ciss
1
VDS (Volts)
10
1
100
0.00001
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 6)
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
10
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
40
RθJA=75�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6)
5-4
100
1000
AO4354
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14354AA-N
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
10V
+
VDC
+ Vds
-
VDC
DUT
Qgd
Qgs
-
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
DUT
Vgs
Rg
90%
+ Vdd
VDC
-
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
tr
t d(off)
t on
tf
toff
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
L
2
E AR = 1/2 LIAR
Vds
BVDSS
Vds
Id
+ Vdd
Vgs
Vgs
VDC
Rg
-
I AR
Id
DUT
Vgs
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vds +
DUT
Vds -
Isd
Vgs
Ig
Vgs
L
Isd
+ Vdd
VDC
-
IF
t rr
dI/dt
I RM
Vds
5-5
Vdd
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