シングル N チャンネル MOSFET ELM14354AA-N ■概要 ■特長 ELM14354AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー ・ Vds=30V ト電圧、 及び低いオン抵抗という特性を備えた大電流 ・ Id=23A (Vgs=10V) MOS FET です。 ・ Rds(on) < 3.7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 5.3mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 繰り返しアバランシェ エネルギー Vds スパイク 最大許容損失 L=0.1mH 100ns Tc=25℃ Tc=100℃ 接合温度範囲及び保存温度範囲 30 ±20 23 Id V V A 14 Idm Ias 174 37 A A 3 3 Eas Vspike 68 36 3.1 mJ V 3 W 2 Pd Tj, Tstg 1.2 - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t ≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 31 Max. 40 単位 ℃/W 備考 1 59 16 75 24 ℃/W ℃/W 1, 4 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 1 2 端子記号 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 5-1 D G S シングル N チャンネル MOSFET ELM14354AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 30 1 5 μA 100 nA 1.8 2.2 V 3.0 3.7 Vgs=4.5V, Id=20A 4.1 4.1 5.0 5.3 Vds=5V, Id=20A Is=1A, Vgs=0V 105 0.7 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=30V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Gfs Vsd Is 動的特性 入力容量 出力容量 Ciss Coss 帰還容量 Crss ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Rds(on) Rg Qg Qgs Qgd Vgs=10V, Id=20A 1.2 Ta=125℃ Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=15V Id=20A td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=0.75Ω, Rgen=3Ω tf trr Qrr V If=20A, dlf/dt=500A/μs If=20A, dlf/dt=500A/μs 0.9 1.0 4 mΩ S V A 2010 898 pF pF 124 pF 1.8 2.7 Ω 36 49 nC 17 6 8 23 nC nC nC 7.5 4.0 37.0 ns ns ns 7.5 14.0 20.3 ns ns nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存ます。 2. 許容損失 Pd は１０秒以内の接合部 - 周囲温度の熱抵抗値を用いた Tj(max)=150℃の値です。 3. 繰り返し試験では、 パルス幅は Tj(max)=150 度以下となるパルス幅とする。 パルス印加時の周期はパルス立 ち上がり時に Tj=25 度となるよう長周期とする。 4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 5. 標準特性図 1 ～ 6 は 300msパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 6. これらの特性は 2oz 銅箔の 1 平方インチ FR4 基板、 室温無風条件で測定された接合部 - 周囲温度の熱抵抗 値を用いた Tj(max) ＝１５０℃の値です。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 5-2 AO4354 シングル N チャンネル MOSFET ELM14354AA-N ■標準特性と熱特性曲線 TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 100 50 VDS=5V 4.5V 80 40 3.5V 10V 30 ID(A) ID (A) 60 3V 40 20 125�C 25�C 10 20 VGS=2.5V 0 0 0 1 2 3 4 0 5 6 Normalized On-Resistance RDS(ON) (mΩ Ω) 2 3 4 5 6 1.8 5 VGS=4.5V 4 3 2 VGS=10V 1 0 VGS=10V ID=20A 1.6 1.4 1.2 VGS=4.5V ID=20A 1 0.8 0 5 10 15 20 25 30 ID (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage (Note 5) 0 25 50 75 100 125 150 175 200 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note )5) 8 1.0E+02 ID=20A 1.0E+01 6 1.0E+00 125�C 4 IS (A) RDS(ON) (mΩ Ω) 1 VGS(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5) VDS (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5) 125�C 1.0E-01 1.0E-02 2 25�C 1.0E-03 25�C 1.0E-04 0 2 1.0E-05 4 6 8 10 VGS (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage (Note 5) 0.0 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VSD (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5) 5-3 0.2 AO4354 シングル N チャンネル MOSFET ELM14354AA-N TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS 3000 10 VDS=15V ID=20A 2500 Capacitance (pF) 8 VGS (Volts) 6 4 2000 1500 1000 2 Coss 500 Crss 0 0 0 10 20 30 40 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 50 1000.0 0 5 10 15 20 VDS (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 25 10000 10µs RDS(ON) 10µs 100µs 10.0 1.0 1ms DC 0.1 10ms 100 10 TJ(Max)=150�C TC=25�C 0.0 0.01 0.1 TA=25�C TJ(Max)=150�C TC=25�C 1000 Power (W) 100.0 ID (Amps) Ciss 1 VDS (Volts) 10 1 100 0.00001 0.001 0.1 10 1000 Pulse Width (s) Figure 14: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 6) Zθ JA Normalized Transient Thermal Resistance 10 D=Ton/T TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA 1 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 40 RθJA=75�C/W 0.1 PD 0.01 Single Pulse Ton 0.001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 15: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6) 5-4 100 1000 AO4354 シングル N チャンネル MOSFET ELM14354AA-N Gate Charge Test Circuit & Waveform Vgs Qg 10V + VDC + Vds - VDC DUT Qgd Qgs - Vgs Ig Charge Resistive Switching Test Circuit & Waveforms RL Vds Vds DUT Vgs Rg 90% + Vdd VDC - 10% Vgs Vgs t d(on) tr t d(off) t on tf toff Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms L 2 E AR = 1/2 LIAR Vds BVDSS Vds Id + Vdd Vgs Vgs VDC Rg - I AR Id DUT Vgs Vgs Diode Recovery Test Circuit & Waveforms Q rr = - Idt Vds + DUT Vds - Isd Vgs Ig Vgs L Isd + Vdd VDC - IF t rr dI/dt I RM Vds 5-5 Vdd