elm14404aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14404AA-N
■概要
■特長
ELM14404AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー
・ Vds=30V
ト電圧、 低いオン抵抗及び早いスイッチングという特
・ Id=8.5A (Vgs=10V)
性を備えた MOSFET です。
・ Rds(on) < 24mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 48mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±12
V
8.5
Id
7.1
60
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
3.0
2.1
- 55 ~ 150
A
1
A
2
W
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t≦10s
定常状態
Rθja
31
59
40
75
℃/W
℃/W
1
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
16
24
℃/W
3
■端子配列図
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
2
3
SOURCE
SOURCE
SOURCE
4
5
6
GATE
DRAIN
DRAIN
7
8
DRAIN
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14404AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
0.002 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.7
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
Vgs=10V, Id=8.5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=8.5A
Vgs=2.5V, Id=5A
Vds=5V, Id=5A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=8.5A
V
10
1.0
100
nA
1.4
V
A
20.5
30.0
24.0
36.0
25.0
40.0
16
30.0
48.0
0.71
1.00
4.3
V
A
857
1030
pF
3.6
pF
pF
Ω
97
71
1.4
mΩ
S
9.70 12.00 nC
1.63
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
3.10
3.3
4.7
5.0
7.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=1.8Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
26.0
4.1
15.0
39.0
6.2
20.0
ns
ns
ns
8.6
12.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=5A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14404AA-N
■標準特性と熱特性曲線
30
20
10V
3V
25
2.5V
Id(A)
20
Id (A)
Vds=5V
16
4.5V
15
12
125°C
8
10
25°C
2V
4
5
Vgs=1.5V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
50
Rds(on) (m� )
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
60
Vgs=2.5V
40
30
Vgs=4.5V
20
Vgs=10V
10
1.6
Vgs=4.5V
1.4
Vgs=10V
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
5
10
15
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
1.0E+01
90
1.0E+00
80
70
25
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
Id=5A
1.0E-01
125°C
60
Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
50
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
40
THIS PRODUCT
HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER
1.0E-04 MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL
COMPONENTS
IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
30
25°C
1.0E-05 THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES
20
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
1.0E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14404AA-N
5
1200
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1400
Vds=15V
Id=8.5A
3
2
1000
600
400
1
0
2
4
6
8
10
0
12
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Power (W)
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
1
10
100
Z�ϕα Normalized Transient
Thermal Resistance
30
30
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
25
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
Vds (Volts)
10
20
10
0.1
0.1
15
40
1ms
10.0
10
50
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100�s
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
Rds(on)
limited
Crss
Coss
200
0
Id (Amps)
Ciss
800
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
THIS PRODUCT
OR USES AS CRITICAL
D
0.1 HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET.PAPPLICATIONS
COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN
TonIMPROVE PRODUCT DESIGN,
OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO
T
Single Pulse
FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
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