elm14408aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM14408AA-N
■概要
■特長
ELM14408AA-N は低ゲート入力電荷、 低いゲー
・ Vds=30V
ト電圧、 低いオン抵抗及び早いスイッチングという特
・ Id=12A (Vgs=10V)
性を備えた MOSFET です。
・ Rds(on) < 13mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 16mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
繰り返しアバランシェ エネルギー
最大許容損失
L=0.1mH
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
30
±12
12
Id
V
V
10
A
1
Idm
Iav
80
30
A
A
2
2, 5
Eav
100
3.0
2.1
mJ
2, 5
- 55 ~ 150
℃
Pd
Tj, Tstg
W
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
23
48
12
40
65
16
℃/W
℃/W
℃/W
備考
1
3
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
D
G
S
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14408AA-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
0.003 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
40
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
Crss
Rg
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qg
Qgs
Qgd
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
Vgs=10V, Id=12A
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=10A
Vds=5V, Id=10A
Is=1A, Vgs=0V
V
30
1.5
nA
2.5
V
A
10.5
16.0
14.0
21.0 mΩ
13.0
48
0.76
16.5
Is
1.00
S
V
4.5
A
1020 1200
pF
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
320
pF
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
80
0.25
pF
Ω
Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=12A
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=1.2Ω, Rgen=3Ω
tf
trr
Qrr
100
If=12A, dlf/dt=100A/μs
If=12A, dlf/dt=100A/μs
0.50
10.3
2.1
3.9
12.5
nC
nC
nC
3.9
3.0
19.2
5.5
6.0
30.0
ns
ns
ns
2.6
26
18
5.0
32
32
ns
ns
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14408AA-N
■標準特性と熱特性曲線
50
10V
40
3.5V
Vds=5V
25
3V
20
30
Id(A)
Id (A)
30
4.5V
20
15
125°C
10
10
5
Vgs=2.5V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
14
Rds(on) (m�)
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
16
Vgs=4.5V
12
10
Vgs=10V
8
0
5
10
15
Vgs=10V
Id=10A
1.6
Vgs=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
20
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
1.0E+01
40
Id=10A
Vgs=0V
1.0E+00
30
125°C
100
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m�)
25°C
0
125°C
20
1.0E-02
25°C
10
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0
0
2
4
6
8
0.0
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
ELM14408AA-N
5
1250
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
1500
Vds=15V
Id=12A
3
2
1
Ciss
1000
750
Coss
500
250
0
0
2
4
6
8
10
0
12
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
100.0
10.0
100�s
Power (W)
1s
1.0
10s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
0
0.001
10
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=40°C/W
0.01
0.1
10
100
1000
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
100
1
Pd
0.1
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
1
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
100
Vds (Volts)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
30
20
DC
1
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
0.1
0.1
10
40
10ms
0.1s
0.0001
0.001
0.01
1
0.1
T
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4
70
Ta=25°C
60
Power Dissipation (W)
Id(A), Peak Avalanche Current
Id (Amps)
1ms
5
50
10�s
Rds(on)
limited
Crss
50
40
30
ta �
20
L� Id
BV � Vdd
10
0
0.00001
0.0001
0.001
Time in avalanche, tA (s)
Figure 12: Avalanche capability
4-4
3
2
10s
1
SteadyState
0
25
50
75
100
125
Tcase (°C)
Figure 13: Power De-rating (Note A)
150
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