elm34400aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM34400AA-N
■概要
■特長
ELM34400AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=10A
・ Rds(on) < 12.5mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 20mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
±20
V
10
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
8
50
A
2.5
1.6
- 55 ～ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
50
単位
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
2
端子記号
SOURCE
SOURCE
3
4
5
SOURCE
GATE
DRAIN
6
7
8
DRAIN
DRAIN
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM34400AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード　パルス電流
Is
Ism
動的特性
入力容量
出力容量
Crss
ゲート - ソース電荷
Qgs
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Qg
Vgs=10V, Vds=15V, Id=10A
μA
±100 nA
1.0
20
1.5
9.5
2.5
V
A
1
mΩ
1
S
1
1.1
V
1
2.3
4.6
A
A
3
12.5
13.0 20.0
38
If=1A, Vgs=0V
Ciss
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
V
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=10A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=5A
順方向相互コンダクタンス
Gfs Vds=15V, Id=10A
ダイオード順方向電圧
30
3100
600
pF
pF
275
pF
43.0 60.0
nC
2
9.0
nC
2
2
2
2
2
2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
7.0
15
30
nC
ns
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=10V, Vds=15V, Id=1A
td(off) RL=25Ω, Rgen=6Ω
tf
9
70
20
20
100
80
ns
ns
ns
50
80
ns
寄生ダイオード逆回復時間
trr
If=2.3A, dlf/dt=100A/μs
備考 :　1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1％
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM34400AA-N
■標準特性と熱特性曲線
4-3
シングル N チャンネル MOSFET
ELM34400AA-N
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