elm34418aa

シングル N チャンネル MOSFET
ELM34418AA-N
■概要
■特長
ELM34418AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=22A
・ Rds(on) < 4.0mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 5.0mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
アバランシェ電流
±20
22
17
V
Idm
Las
100
49
A
A
119
mJ
Id
アバランシェエネルギー
L=0.1mH
Eas
最大許容損失
Tc=25℃
Tc=70℃
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
2.7
1.7
- 55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
定常状態
記号
Rθjc
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
25
単位
℃/W
45
℃/W
備考
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
1
端子記号
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
4-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM34418AA-N
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
ゲート漏れ電流
Igss
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
10
Vds=0V, Vgs=±20V
Vds=5V, Id=20A
If=20A, Vgs=0V
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Vds=15V, Id=20A
μA
±100 nA
1.0
1.5
3.2
3.7
3.0
4.0
5.0
V
mΩ
1
1
S
V
1
1
22
A
100
Is
Ciss
ゲート - ソース電荷
1
Vds=20V, Vgs=0V, Ta=55℃
動的特性
入力容量
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=10V)
総ゲート電荷 (Vgs=4.5V)
V
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Vgs=10V, Id=20A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on)
Vgs=4.5V, Id=16A
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
30
2700
pF
392
302
0.9
pF
pF
Ω
60
31
nC
nC
2
2
9
nC
2
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgd
td(on)
14
25
nC
ns
2
2
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=20V, Vds=15V
td(off) Id=20A, Rgen=6Ω
tf
12
56
10
ns
ns
ns
2
2
2
27
ns
15
nC
寄生ダイオード逆回復時間
trr
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=20A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、 デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
PV510BA
ELM34418AA-N
N-Channel
Enhancement Mode
SOP-8
Field Effect Transistor
Halogen-Free
&
Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
NIKO-SEM
Output Characteristics
Transfer Characteristics
30
VGS=10V
VGS=7V
VGS=5V
VGS=4.5V
VGS=3.5V
24
ID, Drain-To-Source Current(A)
ID, Drain-To-Source Current(A)
30
18
VGS=3V
12
VGS=2.5V
6
24
18
12
25�
6
125�
0
0
0
1
2
3
4
0
1
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
4
3500
3000
C , Capacitance(pF)
1.6
1.4
1.2
1.0
VGS=10V
ID=20A
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
CISS
2500
2000
1500
1000
500
0
150
COSS
CRSS
0
5
TJ , Junction Temperature(C)
10
15
20
25
30
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Gate charge Characteristics
Source-Drain Diode Forward Voltage
100
10
VDS=15V
ID=20A
8
IS , Source Current(A)
VGS , Gate-To-Source Voltage(V)
3
Capacitance Characteristic
On-Resistance VS Temperature
Normalized Drain to Source
ON-Resistance
2
VGS, Gate-To-Source Voltage(V)
1.8
0.6
-20�
6
4
10
150�
1
25�
2
0
0
10
20
30
40
50
0.1
60
REV 0.9
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
VSD, Source-To-Drain Voltage(V)
Qg , Total Gate Charge(nC)
3
4-3
C-44-1
Single Pulse Maximum Power Dissipation
500
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
450
�
Single Pulse
R�JA = 45C/W
TA=25C
400
350
Power(W)
100uS
10
ID , Drain Current(A)
SOP-8
Halogen-Free & Lead-Free
Field
Effect Transistor
ELM34418AA-N
Safe Operating Area
100
PV510BA
シングル
NEnhancement
チャンネル MOSFET
N-Channel
Mode
NIKO-SEM
1ms
10ms
1
300
250
200
100ms
0.01
150
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TA=25C
3.R�JA = 45C/W
4.Single Pulse
0.1
0.1
100
DC
50
1
10
0
0.0001
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
100
Transient Thermal Response Curve
Transient Thermal Resistance
r(t) , Normalized Effective
10
1
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.1
Notes
0.05
0.02
0.01
0.01
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 45 �/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
single pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 0.9
4
4-4
C-44-1
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