elm544634a

シングル N チャンネル MOSFET
ELM544634A-N
■概要
■特長
ELM544634A-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOSFET です。
・ Id=18A
・ Rds(on) = 5.8mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) = 7.2mΩ (Vgs=4.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
Vgs
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
30
V
±20
V
Ta=25℃
18
Id
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
A
2.8
1.8
- 55 ~ 150
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
A
15
50
Tj, Tstg
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
62.5
単位
℃/W
■回路
SOP-8(TOP VIEW)
�
�
�
�
�
�
�
�
端子番号
端子記号
1
SOURCE
2
3
4
SOURCE
SOURCE
GATE
5
6
7
DRAIN
DRAIN
DRAIN
8
DRAIN
5-1
�
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM544634A-N
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±20V
Ta=85℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
15
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Gfs
Vsd
Is
動的特性
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
帰還容量
Crss
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
V
4.8
6.0
Vds=15V, Id=10A
Is=10A, Vgs=0V
24
0.8
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=10A
Qgd
td(on)
Vgs=10V, Vds=15V
tr
RL=1.5Ω, Id=10A
td(off)
Rgen=1.0Ω
tf
5-2
μA
±100
nA
2.0
V
A
Vgs=10V, Id=18A
Vgs=4.5V, Id=15A
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
1
10
5.8
7.2
1.3
3.8
mΩ
S
V
A
2800
480
pF
pF
300
pF
22
8
42
nC
nC
7
15
12
30
20
nC
ns
ns
30
10
50
20
ns
ns
AFN4634WS
Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
シングル N チャンネル Enhancement
MOSFET
Mode MOSFET
ELM544634A-N
■標準特性と熱特性曲線
Typical
Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A May 2012
www.alfa-mos.com
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Alfa-MOS
30V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネル Enhancement
MOSFET
ELM544634A-N
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A May 2012
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30V N-Channel
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Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
ELM544634A-N
Typical
Characteristics
■テスト回路と波形
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