elm13414ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13414CA-S
■概要
■特長
ELM13414CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=4.2A (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 63mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 87mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
20
V
Vgs
±8
V
Id
4.2
3.2
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
15
1.4
0.9
Pd
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
70
Max.
90
単位
℃/W
100
63
125
80
℃/W
℃/W
1
3
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13414CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=16V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±8V
20
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
15
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
Vgs=4.5V
Id=4.2A
Ta=125℃
Vgs=2.5V, Id=3.7A
Vgs=1.8V, Id=3.2A
Vds=5V, Id=4.2A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=4.2A
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=5V, Vds=10V
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=4A, dlf/dt=100A/μs
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
V
If=4A, dlf/dt=100A/μs
0.6
1
5
μA
100
nA
1.0
V
A
41
58
50
70
52
67
11
63
87
0.76
1.00
2
mΩ
S
V
A
436
pF
66
44
3
pF
pF
Ω
6.2
1.6
nC
nC
0.5
5.5
6.3
nC
ns
ns
40.0
12.7
12.3
ns
ns
ns
3.5
nC
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13414CA-S
■標準特性と熱特性曲線
16
10
8V
Vds=5V
4.5V
8
2V
3V
2.5V
8
6
Id(A)
Id (A)
12
4
4
Vgs=1.5V
125°C
2
25°C
0
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
100
2
2.5
1.8
Normalized On-Resistance
Rds(on) (m� )
1.5
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=1.8V
80
Vgs=2.5V
60
40
Vgs=4.5V
20
Vgs=2.5V
1.6
Vgs=1.8V
1.4
Id=4.2A
Vgs=4.5V
1.2
1
0.8
0
4
8
12
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
100
1E+01
90
1E+00
Id=4.2A
80
125°C
1E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
1
125°C
60
50
25°C
1E-03
25°C
40
1E-02
1E-04
30
1E-05
20
0
2
4
6
0.0
8
0.2
0.4
0.6
0.8
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
1.0
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13414CA-S
800
5
Vgs (Volts)
Capacitance (pF)
Vds=10V
Id=4.2A
4
3
2
1
600
Ciss
400
Coss
200
0
0
0
2
4
6
0
8
10.0
15
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100�s
15
Rds(on)
limited
1.0
10�s
1ms
0.1s
10ms
DC
0.1
0.1
1
Vds (Volts)
10
0
0.001
100
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
10
5
1s
10s
Z� Jja Normalized Transient
Thermal Resistance
10
20
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Power (W)
100.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Id (Amps)
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
PD
0.1
0.01
0.00001
Ton
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
100
1000
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