elm13418ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13418CA-S
■概要
■特長
ELM13418CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=3.8A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 60mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 155mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
Vds
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
30
V
Vgs
±12
V
Id
3.8
3.1
A
1
A
2
W
1
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
15
1.4
0.9
Pd
Tj, Tstg
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
記号
t ≦10s
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
70
Max.
90
単位
℃/W
100
63
125
80
℃/W
℃/W
1
3
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
4-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13418CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
30
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=24V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
0.001 1.000
μA
5.000
Ta=55℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
1.0
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
15
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
Vsd
Is
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
Coss
Crss
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
Qg
Qgs
1.4
100
nA
1.8
V
A
43
64
60
85
Vgs=4.5V, Id=3.5A
Vgs=2.5V, Id=1A
Vds=5V, Id=3.8A
52
101
11.7
70
155
Is=1A, Vgs=0V
0.81
1.00
2.5
V
A
226
270
pF
1.7
pF
pF
Ω
Vgs=10V, Id=3.8A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
V
Ta=125℃
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=15V
Id=3.8A
39
29
1.4
3.00
1.40
mΩ
S
3.60
nC
nC
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
Qgd
td(on)
tr
Vgs=10V, Vds=15V
0.55
2.6
3.2
4.0
5.0
nC
ns
ns
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
td(off) RL=3.9Ω, Rgen=6Ω
tf
trr
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
14.5
2.1
10.2
22.0
3.0
13.0
ns
ns
ns
3.8
5.0
nC
寄生ダイオード逆回復電荷量
Qrr
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま
たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基
づいています。
2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。
3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。
SOA のグラフはパルス定格を規定しています。
4-2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13418CA-S
■標準特性と熱特性曲線
10
15
10V
3.5V
4V
6V
6
9
6
4
Vgs=2.5V
125°C
3
2
0
25°C
0
0
1
2
3
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
5
0
200
1
1.5
2
2.5
3
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Normalized On-Resistance
Vgs=2.5V
125
Vgs=4.5V
Id=3.5A
1.7
Vgs=10V
1.4
100
75
50
Vgs=10V
25
3.6 Id=3.8A
1.2
Vgs=4.5V
0
Vgs=2.5V
Id=1A
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
100
25
50
75
100
125
13
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
Id=3.8A
90
3.5
270
1.6
150
1.0E+00
80
125°C
1.0E-01
70
Is (A)
Rds(on) (m� )
0.5
1.8
175
Rds(on) (m� )
Vds=5V
8
3V
Id(A)
Id (A)
12
125°C
1.0E-02
60
25°C
50
1.0E-03
40
1.0E-04
30
0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
25°C
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
4-3
1.2
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13418CA-S
5
350
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
400
Vds=15V
Id=3.8A
3
2
1
300
Ciss
250
200
150
Coss
Crss
100
50
0
0
1
3
4
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
1ms
100�s
1.7
3.6
10
1s
5
10s
DC
0.1
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
15
1.0
10
Vds (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
10
15
20
25
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
270
0.1s 10ms
0.1
10
20
10�s
Rds(on)
limited
5
Power (W)
10.0
0
5
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100.0
Id (Amps)
2
1
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
100
0
0.001
13
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
1
10
0.1
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0.001
0.01
4-4
100
1000
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