elm13424ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM13424CA-S
■概要
■特長
ELM13424CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=3.8A (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 65mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ドレイン - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vds
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
30
±12
3.8
Id
Tc=25℃
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
3.1
15
Idm
最大許容損失
V
V
1.4
0.9
- 55 ~ 150
A
3
W
2
℃
■熱特性
項目
記号
Typ.
Max.
単位
備考
1
1, 4
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - 周囲温度
t ≦10s
定常状態
Rθja
70
100
90
125
℃/W
℃/W
最大接合部 - リード
定常状態
Rθjl
63
80
℃/W
■端子配列図
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13424CA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=30V, Vgs=0V
Ta=55℃
Igss Vds=0V, Vgs=±12V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=5V
Vgs=10V, Id=3.8A
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
出力容量
帰還容量
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷 (Vgs=10V)
総ゲート電荷 (Vgs=4.5V)
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
備考 :
Gfs
Vsd
Is
Ciss
Coss
Crss
Rg
0.5
15
Ta=125℃
Vgs=4.5V, Id=3.5A
Vgs=2.5V, Id=1.0A
Vds=5V, Id=3.8A
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
Qgs
Qgd
td(on)
tr
td(off)
tf
trr
Qrr
30
Vgs=10V, Vds=15V, Id=3.8A
Vgs=10V, Vds=15V
RL=3.95Ω, Rgen=3Ω
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
If=3.8A, dlf/dt=100A/μs
185
25
10
2.1
V
1
μA
5
±100 nA
1.0
1.5
V
A
43
55
mΩ
70
84
47
65 mΩ
59
85 mΩ
14
S
0.75 1.00
V
1.5
A
235
35
18
4.3
285
45
25
6.5
pF
pF
pF
Ω
10.00 12.00 nC
4.70
nC
0.95
nC
1.60
nC
3.5
ns
1.5
ns
17.5
ns
2.5
ns
8.5
11.0 ns
2.6
3.5
nC
1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 また
アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存します。
2. 最大許容損失 (Pd) は Tj(max)=150℃ , t ≦10s の接合部 - 周囲間の熱抵抗条件に基づいています。
3. 反復定格及びパルス幅は接合部温度 Tj(max)=150℃によって制限されます。 定格値は初期の Tj=25℃を維持
する低周波数とデューティサイクルに基づいています。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ~ 6 は <300μs で、パルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。
6. これらのカーブは最大接合部温度を Tj(max)=150℃に設定し、 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされ
た装置を使用して測定された接合部 - 周囲間の温度インピーダンスに基づいています。SOA のグラフはパルス定
格を規定しています。
5-2
AO3424
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13424CA-S
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL
ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
15
10
10V
3V
12
2.5V
8
4.5V
9
6
ID(A)
ID (A)
VDS=5V
6
VGS=2.0V
125�C
4
25�C
2
3
0
0
0
1
2
3
4
0
5
80
1
1.5
2
2.5
3
Normalized On-Resistance
1.8
VGS=2.5V
70
RDS(ON) (mΩ
Ω)
0.5
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note 5)
VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note 5)
60
VGS=4.5V
50
40
VGS=10V
VGS=4.5V
ID=3.5A
1.6
1.4
VGS=10V
17
ID=3.8A
1.2
VGS=2.5V
ID=1A
1
5
2
10
0.8
30
0
2
0
6
8
10
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note 5)
120
4
25
50
75
100
125
150
175
0
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
18Temperature
(Note )5)
1.0E+02
ID=3.8A
1.0E+01
100
40
125�C
80
IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1.0E+00
60
1.0E-01
125�C
1.0E-02
1.0E-03
40
25�C
25�C
1.0E-04
1.0E-05
20
0
0.0
2
4
6
8
10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note 5)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note 5)
5-3
1.2
AO3424
シングル N チャンネル MOSFET
ELM13424CA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10
400
VDS=15V
ID=3.8A
350
300
Capacitance (pF)
VGS (Volts)
8
6
4
250
Ciss
200
150
100
2
Coss
50
0
Crss
0
0
2
4
6
8
10
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
12
5
10
15
20
25
VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
30
10000
100.0
TA=25�C
1000
RDS(ON)
limited
10µs
0µs
100µs
1.0
0.1
1ms
10ms
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
Power (W)
ID (Amps)
10.0
10
10s
DC
0.0
0.01
0.1
VDS
1
(Volts)
10
1
0.00001
100
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
1
0.001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 6)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 6)
10
100
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=125�C/W
0.1
PD
0.01
Single Pulse
Ton
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note 6)
5-4
100
1000
シングル N チャンネル MOSFET
AO3424
ELM13424CA-S
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
10V
+
VDC
+ Vds
-
VDC
DUT
Qgs
Qgd
-
Vgs
Ig
Charge
R es
e s istiv e S w itch ing
in g T e st C ircu it & W a ve fo rm s
RL
V ds
Vds
DUT
Vgs
Rg
90 %
+
VDC
Vdd
-
1 0%
Vgs
V gs
t d (o n )
tr
t d (o ff)
to n
tf
t o ff
D io d e R eco very T est C ircu it & W a vefo rm s
Q rr = -
V ds +
V ds -
DUT
Isd
V gs
Ig
Idt
V gs
L
Isd
+
VD C
-
IF
t rr
dI/dt
I RM
V dd
V ds
5-5
V dd
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