elm23400ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM23400CA-S
■概要
■特長
ELM23400CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
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・ Vds=30V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=5.7A
・ Rds(on) = 32mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) = 40mΩ (Vgs=2.5V)
■絶対最大定格値
特に指定なき場合、Ta=25℃
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
連続ドレイン電流
Ta=70℃
パルス ・ ドレイン電流
記号
規格値
単位
Vds
Vgs
30
±12
5.7
V
V
Id
Tc=25℃
最大許容損失
Tc=70℃
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
4.7
30
Idm
備考
1.25
0.80
- 55 ~ 150
A
3
W
2
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
Typ.
Max.
単位
備考
Rθja
100
125
℃/W
1
■端子配列図
■回路
D
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
SOURCE
DRAIN
G
S
Rev.1.0
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM23400CA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
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特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
1
10
Idss
Vds=24V, Vgs=0V,
Ta=125℃
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Rds(on)
順方向相互コンダクタンス
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
ダイオード パルス電流
Vsd
Is
Ism
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
スイッチング特性
総ゲート電荷
Rg
V
Vds=30V, Vgs=0V
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ドレイン - ソースオン状態抵抗
30
Vgs=4.5V, Id=4A
Vgs=2.5V, Id=3A
Vds=10V, Id=5A
±100 nA
0.4
0.6
0.9
V
27
32
26
32
40
mΩ
Is=1A, Vgs=0V
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Qg
4
S
1
2
30
Vgs=Vds=0V, Force current
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
μA
V
A
A
4
780
pF
54
44
pF
pF
4
Ω
18.0
nC
4
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=4A
Qgd
td(on)
0.8
2.8
4.5
nC
nC
ns
4
4
4
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=1A
td(off) Rgen=4Ω
tf
13.0
27.0
8.3
ns
ns
ns
4
4
4
備考 :
1. Rθja の値は Ta=25℃と静止空気環境で、 625mm²、 70μ2 層の銅 1.6t の FR-4 プリント回路基板上の
デバイスを用いて測定されています。
2. 消費電力 Pd は Tj(max)=150℃と 10s 以下の場合の接合部 - 周囲間熱抵抗に基づいています。
3. 反復測定時、 パルス幅は温度 Tj(max)=150℃によって制限されてます。 測定は、 低周波及び初期の Ta=25°C
を維持するデューティサイクルで行います。
4. パルステスト : パルス幅 � 300μ秒 と デューティサイクル�2% 。
Rev.1.0
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シングル N チャンネル MOSFET
ELM23400CA-S
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PM3212NS
Normalized On Resistance (m)
ID , Continuous Drain Current (A)
■標準特性と熱特性曲線
30V N-Channel MOSFETs
TJ , Junction Temperature (℃)
Fig.2 Normalized RDSON vs. TJ
VGS , Gate to Source Voltage (V)
Normalized Gate Threshold Voltage (V)
TC , Case Temperature (℃)
Fig.1 Continuous Drain Current vs. TC
TJ , Junction Temperature (℃
(℃)
Qg , Gate Charge (nC)
Fig.4 Gate Charge Waveform
ID , Continuous Drain Current (A)
Normalized Thermal Response (RθJA)
Fig.3 Normalized Vth vs. TJ
VDS , Drain to Source Voltage (V)
Fig.6 Maximum Safe Operation Area
Square Wave Pulse Duration (s)
Fig.5 Normalized Transient Impedance
Rev.1.0
Ver.1.00
Powermate Electronics Corp.
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