elm33410ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM33410CA-S
■概要
■特長
ELM33410CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=5A
・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
記号
ゲート - ソース電圧
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
Vgs
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
±12
5
4
30
Id
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
V
A
A
1.25
0.80
- 55 ~ 150
3
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
定常状態
記号
Rθja
■端子配列図
Typ.
75
Max.
100
単位
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
備考
�
端子番号
端子記号
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
�
�
4-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM33410CA-S
■電気的特性
項目
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲ - ト電圧ドレイン電流
ゲート漏れ電流
記号
条件
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Vds=16V, Vgs=0V
Idss
Vds=16V, Vgs=0V, Ta=70℃
Igss
Gfs
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
ダイオード パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
20
V
1
10
Vds=0V, Vgs=±12V
ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Vgs=4.5V, Id=5A
ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=2.5V, Id=4A
順方向相互コンダクタンス
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
Vgs=1.8V, Id=2A
Vds=5V, Id=5A
±100 nA
0.45 0.75 1.20
30
27
32
V
A
1
38
50
mΩ
1
57
12
80
S
1
1.3
1.3
V
A
1
30
A
3
If=Is, Vgs=0V
Ciss
μA
740
pF
pF
pF
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
Coss Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Crss
90
66
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
Qg
Qgs
Qgd
8.0
3.6
2.0
12.0
nC
nC
nC
2
2
2
8
6
19
14
12
45
ns
ns
ns
2
2
2
7
23
ns
2
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
Vgs=4.5V, Vds=10V, Id=5A
td(on)
tr
Vgs=4.5V, Vds=10V
td(off) Id=1A, Rgen=0.2Ω
tf
備考 : 1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
P3202CMG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
SOT-23
Lead-Free
シングル N チャンネル MOSFET
ELM33410CA-S
■標準特性と熱特性曲線
2.5V
3.0V
16
2
12
2.0V
8
4
1.5V
0
0.5
0
1
1.5
2
2.5
1.6
2.5V
1.4
DS(ON)
RDS(ON), On-resistance(� )
50
75
100
125
1
1.5
2
TA= 25° C
0.02
Is, Reverse Drain Current (A)
ID, Drain Current(A)
125°C
2
0.5
TA= 125° C
0.04
0
2
3
4
5
Body Diode Forword Voltage Variation with
Source Current and Temperature.
8
0
ID=2.5A
0.06
0
25°C
12
20
VGS, Gate to Source Voltage(V)
TA= -55°C
16
16
0.08
150
Transfer Characteristics.
VDS= 5V
12
0.1
TJ, Junction Temperature(°C)
20
8
On-Resistance Variation with Gate-to-Source Voltage.
0.8
25
4
ID, Drain Current(A)
1
0
4.5V
0
1.2
-25
4.0V
0.8
ID= 5A
VGS= 4.5V
0.6
-50
3.5V
1
3
On-Resistance Variation with Temperature.
1.4
3.0V
1.2
VGS, Drain to Source Voltage(V)
1.6
VGS= 2.0V
1.8
DS(ON)
ID, Drain current(A)
VGS= 4.5V
R , Normalized
Drain-source on-resistance
20
R , Normalized
Drain-source on-resistance
On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
On-Region Characteristics.
2.5
VGS, Gate to Source Voltage(V)
100
10
3
4-3
TA= 125° C
1
-55°C
25°C
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
3
VGS= 0V
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD, Body Diode Forward Voltage(V)
1.2
Mar-22-2006
P3202CMG
N-Channel Logic Level Enhancement Mode
Field Effect Transistor
NIKO-SEM
SOT-23
シングル N チャンネル MOSFET
Lead-Free
ELM33410CA-S
Capacitance Characteristics
1100
5
VDS= 5V
ID = 5A
f =1MHz
VGS=0 V
900
4
Capacitance(pF)
VGS, Gate-Saurce Voltage(V)
Gate-Charge Characteristics
10V
3
2
1
Ciss
700
500
300
Coss
Crss
100
0
0
2
4
6
8
0
10
Qg Gate Charge (nC)
0
12
16
20
VDS, Drain to Source Voltage(V)
Maxmum Safe Operating Area.
Single Puise Maximum Power Dissipation.
100
20
RDS(ON) LIMIT
1ms
10
10ms
100ms
1
10s
DC
1s
VGS =4.5V
SINGLE PULSE
R� JA=100°C/W
TA=25°C
0.1
0.01
0.1
SINGLE PULSE
R� JA=100°C/W
TA=25° C
15
Power (W)
ID,Drain Current(A)
8
4
12
8
4
10
1
100
VGS,Drain-Source Voltage(V)
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Single Pulse Time(SEC)
1
0.5
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
R¿ JA(t) = r(t) * R¿
R¿ JA=100° C/W
0.1
0.05
0.02
0.01
t1
Single Pulse
t2
0.005
TJ-TA=P*R¿ JA(t)
Duty Cycle, D= t1/ t2
0.002
0.001
0.0001
��
P(pk)
r(t), Normalized Effective
Transient Thermal Resistance
Transisent Thermal Response Curve.
0.001
0.01
0.1
Time(SEC)
4-4
1
10
100
300
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