elm53400ca

シングル N チャンネル MOSFET
ELM53400CA-S
■概要
■特長
ELM53400CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=20V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=1.8A (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 280mΩ (Vgs=4.5V)
・ Rds(on) < 340mΩ (Vgs=2.5V)
・ Rds(on) < 750mΩ (Vgs=1.8V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
記号
ドレイン - ソース電圧
Vds
20
V
ゲート - ソース電圧
Vgs
±12
1.8
1.2
V
6
1.25
0.80
A
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流 (Tj=150℃ )
Id
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
Pd
接合温度範囲及び保存温度範囲
Tj, Tstg
A
W
- 55 ~ 150
℃
■熱特性
項目
記号
最大接合部 - 周囲温度
Rθja
■端子配列図
Typ.
Max.
単位
120
℃/W
■回路
�
SOT-23(TOP VIEW)
�
�
�
端子番号
1
端子記号
GATE
2
SOURCE
3
DRAIN
�
�
5-1
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53400CA-S
■電気的特性
項目
記号
特に指定なき場合、Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位
条件
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
20
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
Idss
Vds=20V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
Ta=85℃
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
0.4
オン状態ドレイン電流
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
1.8
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
V
1
5
μA
±100
nA
1.0
V
A
Vgs=4.5V, Id=1.8A
Rds(on) Vgs=2.5V, Id=1.5A
220
260
280
340
Vgs=1.8V, Id=1.2A
Vds=10V, Id=1.0A
Is=1.0A, Vgs=0V
540
1
0.65
750
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Is
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
スイッチング特性
総ゲート電荷
Crss
Qg
Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz
Vgs=4.5V, Vds=10V
Id=1.2A
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs
Qgd
td(on)
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
td(off)
Rgen=1Ω
tf
Vgs=4.5V, Vds=10V
RL=20Ω, Id=1.2A
5-2
mΩ
1.20
S
V
1
A
70
pF
20
pF
8
pF
1.06
1.38
nC
0.18
0.32
18
26
nC
nC
ns
20
70
25
28
110
40
ns
ns
ns
AFN2306A
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Mode MOSFET
シングル N チャンネル Enhancement
MOSFET
ELM53400CA-S
Typical
Characteristics
■標準特性と熱特性曲線
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
www.alfa-mos.com
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AFN2306A
Alfa-MOS
20V N-Channel
Technology
Enhancement Mode MOSFET
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53400CA-S
Typical Characteristics
©Alfa-MOS Technology Corp.
Rev.A Oct. 2010
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Alfa-MOS
20V N-Channel
Enhancement Mode MOSFET
Technology
シングル N チャンネル MOSFET
ELM53400CA-S
Typical■テスト回路と波形
Characteristics
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